BAV19W A8 时间：2025/8/17 0:40:30 阅读：3

BAV19W A8 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双列直插式（DIP）封装的双极型晶体管阵列。该器件内含四个独立的NPN晶体管，每个晶体管具有相同的电气特性，适用于需要多个晶体管的电路设计。BAV19W A8 常用于数字逻辑电路、驱动电路、信号处理电路等应用中，由于其高集成度和一致性，可以有效减少PCB空间占用并提高系统可靠性。

参数

类型：NPN晶体管阵列
　　封装类型：DIP
　　晶体管数量：4个独立NPN晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型值）
　　频率响应：100 MHz（最小值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BAV19W A8 的主要特性之一是其高集成度，在单个封装中集成了四个独立的NPN晶体管。每个晶体管具有相同的电气特性，确保了在多通道设计中的一致性和匹配性。此外，该器件采用标准DIP封装，便于插件安装，适用于各种通用电子设备。其电流增益（hFE）范围广泛，通常在110至800之间，根据不同的工作电流和电压条件而变化，因此能够满足不同应用场景的需求。该晶体管阵列的频率响应可达100 MHz，适合用于中高频信号放大或开关应用。此外，其最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，适用于多种电源和信号处理电路。
　　该器件的另一个重要特性是其热稳定性和耐久性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等苛刻环境。此外，其总功耗为300 mW，适合低功耗设计。由于每个晶体管之间的隔离性良好，BAV19W A8 也可以用于并联使用以提高输出电流能力。

应用

BAV19W A8 广泛应用于数字和模拟电路设计中，尤其适用于需要多个相同晶体管的场合。例如，在逻辑门电路、缓冲器、电平转换电路、LED驱动电路、继电器驱动电路、音频放大器前置级、信号开关电路等应用中都有广泛应用。此外，该器件也常用于工业自动化控制系统、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子模块中。由于其高集成度和一致的电气特性，BAV19W A8 也常用于测试设备和教学实验平台中的多晶体管电路设计。