型号：SI8631BT-ISR
　　制造商：Silicon Labs
　　通道数：3
　　隔离耐压：5000 VRMS（1分钟，UL 1577）
　　工作电压：2.5V 至 5.5V（VDD1 和 VDD2）
　　数据速率：最高可达 150 Mbps
　　传播延迟：典型值 10ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8（宽体）
　　爬电距离：>8mm
　　认证标准：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10
　　通道方向：2正向，1反向
　　低功耗：< 1mW 每通道（典型值）
　　上升/下降时间：< 3ns
　　故障安全输出：高电平有效（默认高）

SI8631BT-ISR采用Silicon Labs独有的电容隔离技术，利用高频调制和差分电容耦合原理实现信号跨隔离域传输，相比传统光耦无需发光二极管和光电晶体管，从根本上避免了LED老化、温度漂移和寿命限制等问题，显著提升了器件的长期稳定性与可靠性。其内部集成了射频振荡器、调制器、解调器和输出驱动电路，通过精确匹配的微电容结构实现高速信号隔离，支持高达150 Mbps的数据速率，满足高速通信接口如SPI、I2C、UART、CAN等应用需求。每个通道均具备独立的隔离栅，通道间具有优异的电气隔离性能，有效防止地环路干扰和高压窜入损坏敏感电路。
　　该器件具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），达到±100 kV/μs，即使在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压跳变的环境中也能保证信号完整性，避免误触发或数据错误。其低传播延迟（典型10ns）和极小的通道间偏斜（skew）使得多通道同步控制更加精准，适用于需要高实时性的控制系统。SI8631BT-ISR还内置故障安全机制，在输入信号丢失或断电情况下，输出端可自动进入预定义的高电平状态，防止下游电路误动作，提升系统安全性。
　　该芯片支持宽电源电压范围（2.5V～5.5V），允许不同电压域之间的电平转换，例如将3.3V控制器与5V外设连接，简化系统设计。其低功耗特性使其非常适合电池供电或对能效要求高的应用。SOIC-8宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，还兼容标准PCB布局，便于自动化生产。通过了UL、VDE和CSA等多项国际安全认证，确保在医疗、工业和电力系统中的合规性与安全性。

SI8631BT-ISR广泛应用于需要高可靠性信号隔离的工业与电力电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数字I/O模块、现场总线接口和传感器信号调理电路中，实现控制器与执行机构之间的电气隔离，防止高压或噪声干扰影响控制精度。在电机驱动系统中，该器件可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM控制信号，确保功率级与控制级之间的安全隔离，提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，SI8631BT-ISR可用于反馈回路或数字监控接口的隔离，支持数字电源管理和远程监控功能。其高速特性也使其适用于隔离式通信接口，如RS-485、CAN、I2C和SPI总线隔离，保障数据在长距离传输中的完整性。在医疗设备中，由于其符合严格的隔离安全标准，可用于病人连接设备的信号隔离，防止漏电流危害患者安全。
　　此外，该器件还适用于太阳能逆变器、电动汽车充电桩、工业机器人和测试测量仪器等高要求应用场景。其双向通道配置特别适合需要回读状态或确认信号的隔离通信链路，例如在隔离式ADC或DAC接口中传输控制与反馈信号。凭借其高集成度、小尺寸和高可靠性，SI8631BT-ISR成为现代嵌入式系统中替代传统光耦的理想选择，尤其适合空间受限且对性能要求严苛的设计。

Si8630BC-B-IS1
　　Si8632BC-B-IS1
　　ADuM1301BRZ