类型：双肖特基二极管
　　极性：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：300mA
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向电压（VF）：典型值0.35V（在10mA时），最大值0.5V（在10mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在25°C时）
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：SOT-363（SC-88）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BAV116WSQ-7的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构显著降低了正向导通压降，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间，通常小于4纳秒，使其非常适合用于高频整流、信号解调和高速逻辑接口保护等应用场景。该器件的低VF特性特别有利于电池供电设备中延长续航时间，同时减少散热需求。
　　该器件集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极连接方式，这种配置常用于输入电源极性保护、双通道信号钳位或并联使用以提高电流承载能力。由于其SOT-363超小型封装仅占用极少的PCB空间，非常适合智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点和其他对尺寸敏感的应用。此外，该封装具有良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散发热量。
　　BAV116WSQ-7还具备出色的温度稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流和稳定的电气特性。其最大结温可达+150°C，确保在恶劣工作环境中长期可靠运行。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验，符合工业级质量标准。静电放电（ESD）防护能力也较强，增强了在生产、装配和使用过程中的鲁棒性。
　　该产品完全兼容自动化贴片生产工艺，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式，并符合无铅制造要求。其材料组成和制造流程均遵循RoHS和REACH规范，满足现代电子产品对环保法规的要求。数据手册提供了详尽的电气特性曲线、热阻参数和应用建议，便于工程师进行精确的设计仿真和热管理规划。

BAV116WSQ-7广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效、快速响应和小型化的场合。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，例如在USB接口、锂电池充电电路中实现极性反接保护和防止倒灌电流。在通信设备中，它可用于高速数据线的瞬态电压抑制和信号整形，提升信号完整性。其低电容特性也使其适用于RFID读写器、无线模块和射频前端电路中的信号检波与包络检测。
　　在工业控制和汽车电子领域，该器件可用于传感器信号调理电路中的钳位保护，防止过压损坏敏感的微控制器输入引脚。在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，可用作续流二极管或防倒灌二极管，提升转换效率并增强系统稳定性。此外，在音频设备、医疗监测仪器和智能家居控制板中，BAV116WSQ-7也常被用于模拟开关、多路复用器外围保护及逻辑电平转换电路中，发挥其低噪声和高响应速度的优势。

BAT54WSQ-7
　　BAS40-04W-7
　　RB751S-40