类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-723
　　最大直流反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　最大正向电压降（VF）：500mV @ 10mA, 25°C；800mV @ 200mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100nA @ 25°C, 30V；5μA @ 125°C, 30V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1.2A
　　热阻（RθJA）：420°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　产品状态：量产中
　　无铅状态：符合 RoHS 指令要求

BAT760-7-F的核心特性之一是其超低正向导通压降，这主要归因于其采用的铂-硅肖特基势垒结构。在典型工作条件下（10mA, 25°C），其正向压降仅为500mV左右，显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上），从而大幅降低功率损耗，提高系统效率。这一优势在低电压、微功耗应用场景中尤为关键，例如在锂电池供电的便携设备中，能够有效减少能量浪费，延长电池续航时间。同时，较低的VF意味着更少的热量产生，有助于简化热管理设计，提升长期运行的稳定性。
　　该器件具备出色的开关速度，反向恢复时间极短（接近零），因为肖特基二极管属于多数载流子导电器件，不存在少数载流子存储效应。因此，BAT760-7-F非常适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器中的续流或箝位二极管，能有效抑制电压尖峰，防止对主控芯片造成损害。即使在高频状态下也能保持良好的响应能力，避免因延迟导致的能量反弹或振荡现象。
　　另一个重要特性是其超小型SOD-723封装，尺寸仅为1.2mm x 0.8mm x 0.5mm，占用PCB面积极小，特别适合高集成度、紧凑型布局的设计需求。尽管体积微小，但其电气性能依然稳定可靠，能够在-55°C至+125°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛环境下的使用条件。此外，器件具有较低的反向漏电流，在常温下不超过100nA，即便在高温环境下（125°C）也控制在5μA以内，确保在关断状态下几乎不产生额外功耗，进一步优化系统能效。
　　BAT760-7-F还具备良好的抗浪涌能力，可承受高达1.2A的峰值脉冲电流，增强了在瞬态过流情况下的耐受性。其热阻较高（约420°C/W），表明需注意散热设计，尤其在持续大电流负载下应合理布线以增强散热效果。总体而言，该器件在小型化、高效能与可靠性之间取得了良好平衡，是现代电子设计中理想的通用型肖特基二极管选择。

BAT760-7-F因其小巧的封装和优良的电气性能，被广泛应用于各类便携式和高密度电子设备中。常见用途包括移动终端设备（如智能手机、平板电脑、智能手表）中的电源路径管理，用作防止电池反接的保护二极管，确保主控IC不会因误接电源而损坏。在这些应用中，其低正向压降直接减少了电压损失，使更多能量可用于核心功能运行，从而提升用户体验。
　　在DC-DC转换电路中，该器件常作为同步整流后的续流二极管或自举二极管使用，尤其是在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，起到快速释放电感储能的作用，防止反向电动势击穿开关管。其快速响应能力和低功耗特性使其成为高频开关电源的理想配套元件。
　　此外，BAT760-7-F也用于信号线路的静电放电（ESD）保护和电压钳位，特别是在I/O接口、USB数据线、音频线路等敏感信号通道中，能够迅速将瞬态高压泄放到地，保护后端精密芯片不受损伤。其低电容特性也有助于减少对信号完整性的干扰。
　　在电池充电管理模块中，它可用于隔离主电源与备用电池之间的回路，实现自动切换供电源的功能。同时，在传感器模块、RFID标签、无线耳机充电仓等微功耗系统中，凭借其极低的漏电流和静态功耗，有助于最大限度延长待机时间。总之，无论是在电源管理、信号保护还是能量转换领域，BAT760-7-F都展现出了高度的适用性和稳定性。

BAS70-04WT1G
　　PMBS3904,215
　　RB520S-40T1U
　　DSK24-17A