类型：PNP晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作点）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT343

BAT68W 的每个晶体管都具有优异的电流增益和高频性能，使其非常适合用于高频信号放大和开关应用。该器件的设计确保了良好的热稳定性和可靠性，即使在较高温度下也能保持稳定的工作状态。双晶体管结构允许在电路中使用两个独立的PNP晶体管，从而减少电路板空间和元件数量，提高设计的紧凑性。此外，BAT68W 的SOT343封装形式使其适用于现代电子设备中的表面贴装技术，提高了生产效率。
　　该晶体管的电流增益范围较广，可以在不同的工作点提供优异的放大性能。其过渡频率达到100MHz，意味着它可以在高频条件下保持良好的增益特性。BAT68W 的最大集电极-发射极电压为30V，能够承受一定的电压波动，提高了器件的适用范围。此外，其最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的放大和开关电路。
　　该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其能够在广泛的温度环境下正常运行，适用于工业和汽车等对温度要求较高的应用场景。

BAT68W 主要用于高频放大电路、中频放大器、信号处理电路和开关电路。它常见于消费电子、通信设备和工业控制系统中，例如在音频放大器、无线通信模块和传感器接口电路中发挥作用。由于其紧凑的封装和双晶体管设计，BAT68W 在需要节省空间和减少元件数量的电路中特别有用。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统和车身控制模块。

BC850, BC847