晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　最大基极电流（IB）：5 mA
　　最大耗散功率（PD）：300 mW
　　增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同而变化）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-363

BAT54WS-L9的每个晶体管均采用高性能硅工艺制造，具有良好的温度稳定性和低饱和压降。该器件的hFE增益范围较宽，可以根据不同的工作条件进行灵活配置，适用于多种放大和开关应用。此外，BAT54WS-L9采用了SOT-363小型封装，节省电路板空间，非常适合高密度PCB设计。
　　这款晶体管阵列还具有出色的开关性能，能够在高频条件下稳定工作，适用于数字电路中的快速开关操作。其基极-发射极结的正向电压较低，有助于降低驱动电路的功耗。同时，器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，可以有效减少导通状态下的功率损耗。
　　在可靠性方面，BAT54WS-L9符合严格的工业标准，并具有良好的抗静电能力和热稳定性，适合在各种环境条件下使用。该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。

BAT54WS-L9广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 信号放大：用于音频放大器、传感器信号调理和小信号放大电路。
　　2. 开关电路：作为数字电路中的开关元件，控制LED、继电器、马达等负载。
　　3. 电平转换：在不同电压域之间进行信号转换，适用于接口电路设计。
　　4. 模拟开关：用于模拟信号的选通和控制。
　　5. 便携式设备：由于其小型封装和低功耗特性，广泛用于手机、平板电脑、穿戴设备等消费类电子产品。
　　6. 工业控制：用于PLC、传感器接口、电机驱动电路等。

BC847BDS-7-F, BC857BDS-7-F