类型：肖特基二极管
　　配置：双路
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：30 V
　　正向压降（VF）：最大 0.33 V（在 10 mA 时）
　　反向漏电流（IR）：最大 200 nA（在 30 V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SMD）
　　引脚数：3

BAT54WS L9具备低正向压降特性，这使得其在电池供电设备或低电压系统中尤为适用，因为它能有效减少能量损耗。由于其快速恢复时间（trr），该器件非常适合用于高频开关应用。该芯片的两个二极管是独立工作的，可以用于不同的信号或电源路径中，例如在电源切换或多路复用电路中。此外，其30V的反向电压额定值提供了良好的安全裕量，适用于多种电压等级的应用。该器件的封装为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。Nexperia的产品通常具有高可靠性和稳定性，BAT54WS L9也不例外，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品和汽车电子等多个领域。
　　该器件的封装符合JEDEC标准，便于自动化生产和回流焊工艺。在电气特性方面，BAT54WS L9的正向压降非常低，在10 mA时仅为0.33 V，显著低于普通硅二极管的0.7 V，从而减少了功率损耗，提高了能效。同时，其反向漏电流在30 V时最大为200 nA，属于较低水平，有助于减少不必要的漏电损耗。此外，该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适应了从极端环境到高温工况下的稳定运行需求。

BAT54WS L9广泛应用于多个电子领域，特别是在需要低功耗和快速响应的电路中。例如，在电池管理系统中，该器件可用于防止电池反向放电或实现多个电源之间的切换。在信号处理电路中，BAT54WS L9可作为检波二极管或电平移位器使用。此外，该器件也可用于保护电路，防止过压或反向电压对后级电路造成损害。在数字逻辑电路中，BAT54WS L9可用于实现OR逻辑门或实现不同电压域之间的电平转换。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备，BAT54WS L9常用于电源管理模块中，以优化系统功耗。在汽车电子系统中，它可用于车载充电管理、车身控制模块和车载娱乐系统等场景。

BAT54W, BAT54C, BAS40-04, 1N5711, RB751V-40