时间：2025/12/27 22:17:29
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BAT54TR是一种表面贴装的双串联肖特基二极管，广泛应用于高频开关和低电压整流场合。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、功耗低、响应速度快等优点，适用于便携式电子设备和高密度电路板设计。BAT54TR由两个阳极相连的肖特基二极管构成（共阳极配置），这种结构使其特别适合用于双通道输入保护、电压钳位以及ESD保护等应用。由于其低正向导通电压（通常在0.3V至0.4V之间）和快速反向恢复时间，BAT54TR在提升系统效率和降低功耗方面表现优异。该器件可在较宽的温度范围内稳定工作，符合工业级和消费类电子产品的需求。此外，BAT54TR符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，并通过了无卤素认证，适用于绿色环保电子产品制造。作为一款成熟且广泛应用的分立器件，BAT54TR被大量用于电源管理、信号调理、接口保护等领域，在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、通信模块和物联网设备中均有典型应用案例。
型号：BAT54TR
封装类型：SOT-23
二极管配置：双串联共阳极
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：200mA
峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
最大正向电压（VF）：0.4V @ 1mA, 0.55V @ 10mA
最大反向漏电流（IR）：2μA @ 25°C, 100μA @ 125°C
反向恢复时间（trr）：4ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
热阻（RθJA）：250 K/W
极性：共阳极（Anode Common）
安装方式：表面贴装（SMD）
BAT54TR的核心优势在于其采用铂掺杂工艺制造的肖特基势垒技术，这显著提升了器件的开关速度并降低了正向导通压降。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管没有少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间极短，典型值仅为4ns，非常适合高频开关应用如DC-DC转换器中的续流或箝位电路。其低VF特性意味着在小电流工作条件下功耗更低，有助于延长电池供电设备的工作时间。共阳极结构允许两个阴极独立连接到不同的信号线，常用于双路TVS保护或输入端的双向钳位，有效防止过压对后级IC造成损伤。该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平，确保系统长期运行的可靠性。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高了组装效率。此外，BAT54TR具有优异的ESD耐受能力，能够承受一定级别的静电放电冲击，增强了在恶劣环境下的鲁棒性。所有电气参数均经过严格测试，保证批次一致性，适合大规模量产使用。器件还具备良好的焊接兼容性，支持回流焊和波峰焊工艺，适应现代电子制造流程。
BAT54TR的设计充分考虑了实际应用中的电磁兼容性和信号完整性问题。由于其寄生电容较小（典型值约15pF），在高速数字信号路径中引入的干扰极小，可用于USB、I2C、GPIO等信号线的电平钳位保护。同时，其快速响应能力可有效抑制瞬态电压尖峰，防止微控制器、传感器等敏感元件受损。在电源轨上并联使用时，还能实现简单的OR-ing功能或防止反向电流倒灌。整体而言，BAT54TR是一款性能均衡、可靠性高、成本效益好的通用型双肖特基二极管，适用于多种模拟与数字混合信号系统中的保护和整流需求。
BAT54TR广泛应用于各类消费类电子产品和工业控制设备中。常见用途包括便携式设备中的电池充电管理电路，用于防止电流倒流；在DC-DC变换器中作为同步整流辅助二极管或电压箝位元件，以减少能量损耗并提高转换效率。其共阳极结构使其成为理想的双通道ESD保护器件，常用于USB接口、HDMI端口、音频插孔等外露连接器的静电防护设计。在微处理器和FPGA的I/O引脚保护中，BAT54TR可用于将输入电压限制在安全范围内，避免因过压或负压导致芯片损坏。此外，它也常用于逻辑电平转换电路中，配合上拉电阻实现不同电压域之间的信号兼容。在传感器信号调理模块中，该器件可作为钳位二极管，防止感应电压超出ADC输入范围。在通信模块如Wi-Fi、蓝牙和蜂窝模组中，BAT54TR用于射频前端偏置电路或低功率检波路径。其他应用场景还包括LCD背光驱动、LED指示灯限流保护、继电器驱动电路中的反电动势吸收等。由于其小型化封装和高性能特性，BAT54TR尤其适合高密度PCB布局和空间受限的设计方案。
BAS70-04WT1G,BAT54S,CDBU120L,
