BAT54TB6 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双引脚双肖特基二极管阵列。该器件采用小型SOT-23封装,适用于需要高开关速度和低正向压降的应用。BAT54TB6 内部包含两个独立的肖特基二极管,具有低功耗和高效率的特点,适用于便携式电子设备和高频电路。
类型:肖特基二极管阵列
最大重复峰值反向电压:30V
最大平均整流电流:100mA
正向压降:0.31V(典型值,@10mA)
反向漏电流:100nA(最大值,@25°C)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
引脚数:3
BAT54TB6 肖特基二极管阵列具有多个关键特性,使其适用于多种电子应用。首先,其低正向压降(典型值为0.31V)有助于减少能量损耗并提高电路效率。这在电池供电设备中尤为重要,因为它可以延长电池寿命。其次,该器件的最大重复峰值反向电压为30V,使其适用于中等电压应用。此外,BAT54TB6 的最大平均整流电流为100mA,适合用于低功耗电路。
该器件的反向漏电流非常低,最大值仅为100nA,在25°C时确保了良好的温度稳定性。这使得BAT54TB6 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。此外,其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于广泛的工业和消费电子应用。
采用SOT-23封装的BAT54TB6 体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中使用。该封装还具有良好的热性能,能够有效散热以维持长期可靠性。BAT54TB6 的两个独立肖特基二极管可以分别用于不同的电路功能,例如信号整流、电压钳位或逻辑电平转换。
BAT54TB6 主要应用于需要高效率和小尺寸设计的电子设备。在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,BAT54TB6 常用于电源管理和电池保护电路。其低正向压降特性有助于减少能量损耗,从而延长电池续航时间。
在通信设备中,BAT54TB6 可用于射频(RF)信号检测和整流电路。由于其快速开关特性,该器件适用于高频应用,如无线充电系统和射频识别(RFID)设备。
此外,BAT54TB6 也可用于电压钳位和静电放电(ESD)保护电路,以防止敏感电子元件受到过电压或瞬态电压的损坏。在工业控制系统中,它可用于逻辑电平转换、信号隔离和电源整流等应用。
由于其高可靠性和小型封装,BAT54TB6 还广泛应用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、传感器模块和电池管理系统。
BAT54WS, BAT54CW, 1N5819, BAS40-04