类型：双串联共阳极肖特基二极管
　　封装/包装：SOT-23 (SC-59)
　　反向电压（V_R）：30V
　　平均整流电流（I_O）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（I_FSM）：500mA
　　正向压降（V_F）：典型值0.36V（@ I_F = 1mA），最大值0.55V（@ I_F = 10mA）
　　反向漏电流（I_R）：最大5μA（@ V_R = 30V, 25°C）
　　结温（T_J）：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围（T_stg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（R_θJA）：约350°C/W（PCB板上）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

BAT54SWT-TP的核心特性之一是其共阳极双肖特基二极管结构，这种设计使其非常适合用于双路信号整流、输入保护或双通道钳位电路。由于两个二极管共享同一个阳极，可以在正向偏置时分别控制两个阴极的输出，从而实现高效的电压箝位或逻辑电平转换功能。在实际应用中，这种配置常见于I/O端口保护电路中，用于防止过压或负电压冲击损坏后级IC。此外，在多电源系统中，该器件可用于电源切换或防倒灌设计，避免不同电源之间的相互干扰。
　　另一个显著优势是其低正向压降特性。相比传统的PN结二极管（如1N4148），BAT54SWT-TP的V_F可低至0.36V以下，这意味着在相同电流条件下，其功耗仅为传统二极管的一半甚至更低。这对于电池供电设备尤为重要，例如智能手机、蓝牙耳机或可穿戴设备，能有效延长电池续航时间。同时，低V_F也减少了热量积累，提升了系统的热稳定性，降低了对散热设计的要求。
　　该器件还具备快速开关响应能力，反向恢复时间极短（通常小于10ns），几乎不存在反向恢复电荷（Q_rr），因此在高频开关电路中表现出色，可有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其广泛应用于开关电源中的续流二极管、DC-DC变换器的同步整流辅助电路以及高频信号检波场合。
　　BAT54SWT-TP的小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片组装，适合高密度布局的现代电子产品。其可靠的制造工艺确保了批次间参数一致性，满足AEC-Q101等车规认证的部分型号可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统或传感器接口电路。此外，该器件对湿度敏感等级（MSL）通常为1级，表明其在存储和焊接过程中具有良好的耐湿性，适合回流焊工艺。

BAT54SWT-TP广泛应用于多种电子系统中，尤其在需要低功耗、小尺寸和高可靠性的场景下表现突出。在消费类电子产品中，它常被用作USB端口的静电放电（ESD）保护和电压钳位元件，防止热插拔时产生的瞬态电压损坏主控芯片。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，该器件可用于电池充电路径中的防反接保护，确保电流只能从充电器流向电池，而不能反向流动。
　　在电源管理领域，BAT54SWT-TP常作为DC-DC转换器中的续流二极管使用，尤其是在非同步降压或升压拓扑中，承担能量释放路径的功能。由于其低V_F特性，能显著提高转换效率，减少发热问题。此外，在多路电源选择电路中，该器件可用于构建“或”逻辑电源架构（Power ORing），实现主备电源之间的无缝切换，保障系统持续供电。
　　在通信接口电路中，如I2C、SPI或UART总线，BAT54SWT-TP可用于电平移位和信号隔离，利用其钳位特性将不同电压域的信号安全地耦合在一起，避免因电压不匹配导致的器件损坏。同时，在模拟信号处理电路中，它可以作为精密整流器或峰值检测器的关键组件，得益于其低开启电压和快速响应能力。
　　在汽车电子系统中，部分符合AEC-Q101标准的版本可用于车身控制模块、传感器信号调理电路或车载网络节点的保护电路。工业控制设备中也常见其身影，用于PLC输入输出端口的瞬态抑制和极性保护。总之，BAT54SWT-TP凭借其多功能性和高可靠性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAS40-04W-7-F
　　RB751S-40
　　MBSS110LT1G
　　DMK1400U2G
　　PMEMB54S101