BAT54SWGH 时间：2025/8/16 13:35:16 阅读：2

BAT54SWGH是一款由Nexperia（原恩智浦半导体分立器件业务部门）生产的双P沟道增强型MOSFET。该器件采用小型DFN1006-6封装，适用于需要高集成度和低功耗设计的应用场景。BAT54SWGH具有低导通电阻、低阈值电压和良好的热稳定性，使其成为负载开关、电源管理、逻辑电路和便携式电子设备中的理想选择。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-100mA
　　导通电阻(RDS(on))：最大值1.8Ω（在VGS=-4.5V时）
　　阈值电压(VGS(th))：-0.65V至-1.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：DFN1006-6

特性

BAT54SWGH具有多个关键特性，适合用于高性能电子系统设计。
　　1. 小型DFN1006-6封装：该封装尺寸非常小，仅1.0mm x 0.6mm，厚度仅为0.48mm，非常适合空间受限的便携式设备应用。
　　2. 低导通电阻：在VGS=-4.5V时，RDS(on)最大值为1.8Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 低阈值电压：栅极阈值电压范围为-0.65V至-1.5V，允许在较低的栅极驱动电压下工作，适用于3.3V或更低的电源管理系统。
　　4. 高可靠性：采用先进的Trench MOSFET技术，具有良好的热稳定性和长期可靠性。
　　5. 快速开关特性：具有较低的输入电容和开关损耗，适用于高频开关应用。
　　6. ESD保护：内置静电放电保护结构，提高了器件在制造和使用过程中的抗静电能力。

应用

BAT54SWGH广泛应用于多种低功耗和便携式电子产品中，典型应用包括：
　　1. 负载开关：用于控制电源轨的通断，实现节能和系统保护。
　　2. 电源管理：适用于电池供电设备中的电压调节和多电源切换。
　　3. 信号开关：在模拟或数字信号路径中作为高速开关元件使用。
　　4. 逻辑电平转换：由于其低阈值电压特性，可用于不同电压域之间的信号转换。
　　5. 保护电路：如过流保护、反向电流阻断等场景。
　　6. 移动设备：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对尺寸和功耗要求较高的场合。