BAT54STB 时间：2025/8/14 23:53:36 阅读：24

BAT54STB 是一款由恩智浦（NXP）推出的双P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关应用。该器件采用小型DFN封装，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于便携式电子设备、工业控制系统和汽车电子系统等场合。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.5A（@VGS= -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@VGS=-4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：DFN10
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.45V ~ -1.5V

特性

BAT54STB具有低导通电阻，能够在高负载条件下保持较低的功率损耗，从而提升系统效率。其快速开关特性有助于减少开关过程中的能量损失，适用于高频开关应用。该MOSFET具备良好的热稳定性和过温保护能力，确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。此外，其小型DFN封装节省了PCB空间，适用于高密度电路设计。
　　BAT54STB的栅极驱动电压范围较宽，支持-12V至+12V的输入，兼容多种驱动电路设计。该器件具备较强的抗静电能力，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。其双P沟道结构设计，支持并联使用以提升电流承载能力。BAT54STB还具备较低的栅极电荷，进一步优化了开关性能，减少了驱动损耗。这些特性使BAT54STB成为一款适用于多种电源管理场景的高性能MOSFET。

应用

BAT54STB广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机驱动电路。在便携式设备中，它可用于高效电源开关，延长电池续航时间。在工业控制系统中，BAT54STB可用于控制高功率负载，如继电器、LED驱动和传感器模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统等。其高可靠性和宽工作温度范围，使其在高温和低温环境下均能稳定运行。