类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　封装：SOT-23
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　最大峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　正向导通电压（VF）：@ IF = 10mA, 典型值0.35V；最大值0.55V
　　反向漏电流（IR）：@ VR = 25V, 最大值2μA
　　反向恢复时间（trr）：≤ 4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

BAT54STA的核心特性之一是其低正向导通电压，这使得它在低压、低功耗应用中表现出色。肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，而非传统的P-N结，因此其开启电压显著低于硅PN二极管。在10mA的工作电流下，BAT54STA的典型正向压降仅为0.35V，最大不超过0.55V。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它减少了能量损耗，延长了续航时间。例如，在USB接口或GPIO电平转换电路中，使用BAT54STA可有效防止倒灌电流的同时最小化电压损失。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，通常小于4ns。这意味着在高频开关操作中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有助于减少电磁干扰（EMI）和开关损耗。该特性使其非常适合用于高速数字信号线的保护、高频整流以及开关电源中的续流二极管应用。
　　BAT54STA还具备优异的反向漏电流性能。在室温条件下，当施加25V反向电压时，其最大漏电流仅为2μA。尽管随着温度升高漏电流会有所增加，但在正常工作范围内仍保持在可接受水平。这对于高阻抗电路和精密模拟前端非常重要，避免因漏电导致信号失真或偏移。
　　此外，SOT-23封装提供了良好的热传导性和空间利用率，便于自动化贴片生产。其引脚兼容性强，许多厂商生产的BAT54STA均符合JEDEC标准，确保不同品牌之间的互换性。整体而言，BAT54STA凭借其低VF、快恢复、小封装和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAT54STA广泛应用于各类消费类电子、通信设备、工业控制和汽车电子系统中。一个典型应用场景是I/O端口的电压钳位与静电放电（ESD）保护。在微控制器的GPIO引脚、ADC输入或传感器接口电路中，常利用BAT54STA将输入电压限制在VDD + Vf范围内，防止过压损坏内部CMOS结构。此时，其中一个二极管连接在信号线上与电源之间，另一个连接在信号线与地之间，形成双向保护路径。
　　在电平转换电路中，BAT54STA也发挥着重要作用。例如，在3.3V与5V逻辑系统互联时，可通过BAT54STA实现单向电平提升，利用其低导通压降特性确保信号完整性。此外，在电源多路选择（Power MUXing）电路中，BAT54STA可用于防止反向电流流动，实现“理想二极管”功能，替代传统的功率二极管以提高效率。
　　该器件还常见于DC-DC转换器中的辅助整流环节，作为续流二极管使用。由于其快速恢复特性，能有效降低开关节点振铃现象，提升转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BAT54STA因其微型封装和高性能被大量用于电源管理单元（PMU）和射频模块的保护电路中。
　　其他应用还包括音频信号检波、RF信号整流、电池反接保护以及热插拔电路中的瞬态抑制等。由于其通用性强且成本低廉，BAT54STA已成为许多工程师在电路设计初期优先考虑的标准分立器件之一。

BAS40-04W, PMEG2005EH, RB520S-40, SMS7621, BAT54S