BAT54HRT1G 时间：2025/8/13 21:19:10 阅读：30

BAT54HRT1G是一款由ON Semiconductor生产的双通道、低压降、表面贴装的肖特基势垒二极管（SBD）阵列。该器件采用先进的硅技术制造，适用于各种高效率、低功耗的应用场合。BAT54HRT1G内部集成了两个独立的肖特基二极管，采用SOT-23（SC-59）封装形式，非常适合空间受限的设计。该器件的工作温度范围宽，适用于工业级和消费类电子产品。

参数

类型：肖特基势垒二极管（SBD）
　　配置：双通道
　　最大重复反向电压（VRM）：30 V
　　最大平均整流电流（Io）：100 mA
　　正向电压（VF）：0.31 V（最大值，@ 10 mA）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，@ 25°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　安装类型：表面贴装

特性

BAT54HRT1G具有低正向电压降，有助于降低功耗并提高能效。其快速开关特性使其适用于高频应用，如整流、信号检测和电压钳位。该器件的集成双通道设计减少了PCB空间占用，同时降低了设计复杂性。BAT54HRT1G的工作温度范围广泛，支持在极端环境下的稳定运行。
　　此外，该器件符合RoHS标准，采用无铅封装，符合环保要求。其高可靠性使其适用于汽车电子、通信设备和便携式消费电子产品等关键应用。BAT54HRT1G还具备较强的抗静电能力，能够承受一定程度的静电放电，增强器件在生产、运输和使用过程中的安全性。

应用

BAT54HRT1G广泛应用于电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器、逻辑电路隔离、信号整流、电压检测和钳位电路等场合。在便携式电子设备中，BAT54HRT1G常用于提高能源利用效率并延长电池续航时间。在通信系统中，该器件可用于射频信号检测和隔离电路。由于其低正向压降和快速恢复特性，BAT54HRT1G也适用于高频率开关电源和低功耗逻辑接口电路。此外，该器件还可用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品的保护电路中。