时间:2025/12/27 8:56:57
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BAT54G-AE3-R是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅双肖特基势垒二极管,采用SOD-323封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,适用于高频开关和低压降整流应用。由于其低正向电压降和快速开关特性,BAT54G-AE3-R广泛用于便携式电子设备、电源管理电路、信号解调和极性保护等场景。该二极管具有高可靠性,符合RoHS指令,且不含卤素,适合现代绿色电子产品制造。器件采用无铅(Pb-free)工艺制造,支持回流焊工艺,适用于自动化贴片生产线。
BAT54G-AE3-R中的“AE3-R”后缀表示其为卷带包装(tape and reel),适合大规模自动化装配。其小尺寸封装使其在空间受限的应用中具有显著优势。此外,该器件具备良好的热稳定性和环境适应性,可在较宽的温度范围内稳定工作,是消费类电子、通信设备和工业控制系统中的理想选择。
型号:BAT54G-AE3-R
制造商:Vishay Semiconductors
封装/外壳:SOD-323
二极管配置:双路,共阴极
二极管类型:肖特基
反向电压(最大值):30 V
平均整流电流(最大值):200 mA
峰值正向浪涌电流(8.3ms, 半正弦波):500 mA
正向电压(典型值,IF=1mA):290 mV
正向电压(最大值,IF=10mA):600 mV
反向漏电流(最大值,VR=20V, 25°C):0.1 μA
反向漏电流(最大值,VR=20V, 125°C):500 μA
反向恢复时间(trr):4 ns
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
安装类型:表面贴装(SMD)
湿度敏感等级(MSL):1(无限)
BAT54G-AE3-R的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结而非传统的PN结,从而实现了极低的正向导通电压和极快的开关速度。在正向电流仅为1mA时,其典型正向压降仅为290mV,显著低于传统硅二极管的约700mV,这使得它在低电压、低功耗系统中极为高效,能够有效减少能量损耗并提升整体能效。尤其在电池供电设备中,如智能手机、可穿戴设备和物联网传感器,这种低功耗特性有助于延长电池续航时间。
该器件的反向恢复时间仅为4ns,属于超高速开关二极管,能够在高频开关电路中迅速关闭反向电流,避免产生过多的开关损耗和电磁干扰(EMI)。这一特性使其非常适合用于高频整流、开关电源中的续流与箝位、以及高速逻辑电路中的信号整形与隔离。此外,由于其共阴极双二极管结构,BAT54G-AE3-R常被用于双通道信号处理或冗余保护电路中,例如在USB接口或多路电源输入系统中实现自动路径选择或反接保护。
从可靠性角度看,BAT54G-AE3-R具备出色的热性能和长期稳定性。其最大工作结温可达+150°C,能够在高温环境下持续运行而不发生性能退化。同时,其反向漏电流在高温条件下虽有所增加,但在125°C时仍控制在500μA以内,确保了在严苛环境下的可靠工作。该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于汽车电子应用。此外,其SOD-323封装体积小巧,尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm,便于在高密度PCB布局中使用,支持自动化贴片生产,提升了制造效率。
BAT54G-AE3-R广泛应用于多种电子系统中,尤其是在对空间、功耗和响应速度有严格要求的场合。在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机,它常被用于电池充电管理电路中的防反接保护、多电源路径选择(Power OR-ing)以及LDO稳压器输出端的反向电流阻断。其低正向压降特性有助于减少电压损失,提高电源转换效率。
在通信接口电路中,BAT54G-AE3-R可用于USB、HDMI、RS-232等信号线的静电放电(ESD)保护和信号箝位,防止瞬态高压损坏后续集成电路。其快速响应能力能够有效抑制尖峰脉冲,保障数据传输的稳定性。此外,在开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器中,该二极管可作为续流二极管或自举二极管使用,配合MOSFET进行能量回馈,提升转换效率。
在工业控制和汽车电子领域,BAT54G-AE3-R适用于传感器信号调理、微控制器I/O保护、LED驱动电路中的电流隔离等应用。其高可靠性和宽温工作范围使其能在恶劣环境中稳定运行。此外,该器件也常用于射频(RF)检波电路、逻辑电平转换和模拟开关中的隔离功能,凭借其低噪声和高线性度表现优异。由于其符合绿色环保标准,适用于出口型电子产品和医疗设备等对材料合规性要求严格的行业。
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"BAT54G",
"BAT54C",
"RB751S-30",
"BAS40-04",
"SMS7621",
"PMG2823EP",
"DMK14DUC"
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