BAT54FN2 时间：2025/8/15 4:09:21 阅读：22

BAT54FN2 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的双P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23-6封装形式。该器件广泛应用于低电压和低电流的开关电路中，例如电源管理、负载开关和信号控制等领域。BAT54FN2 设计用于在低栅极驱动电压下工作，使其适用于现代低功耗系统设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT23-6
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值10Ω @ Vgs = -10V
　　栅极电荷（Qg）：典型值5nC
　　输入电容（Ciss）：典型值25pF

特性

BAT54FN2 的主要特性之一是其能够在低栅极电压下高效运行，支持3.3V或更低的逻辑电平控制，使其与现代微控制器和其他数字IC兼容。此外，该器件的导通电阻较低，在-10V的栅极电压下仅10Ω，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效。其SOT23-6封装提供了良好的热性能和空间节省，适合在紧凑型电子设备中使用。
　　该MOSFET具有良好的稳定性和可靠性，适用于各种便携式设备和电池供电系统。其低漏极电流能力（100mA）适合用于小型负载的开关控制，例如LED驱动、传感器接口和小型继电器驱动等。此外，BAT54FN2 还具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　由于其集成两个P沟道MOSFET在同一个封装中，BAT54FN2 可以减少PCB布局的复杂性，降低整体设计成本，并提供更高的系统集成度。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。

应用

BAT54FN2 常用于低功率开关电路中，如便携式电子设备的电源管理、电池供电系统的负载开关、微控制器外围驱动电路、传感器接口控制、LED背光调节等。其双MOSFET结构使其适用于H桥驱动、信号路由和多路复用等应用场景。此外，由于其低栅极驱动需求，BAT54FN2 也适用于需要低功耗控制的嵌入式系统和物联网（IoT）设备。