时间：2025/5/8 8:48:12
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IPD25N06S4L-30 是一款基于沟槽栅场效应技术的 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点，适用于各种高效的电源转换和电机驱动应用。其额定电压为 60V，最大连续漏极电流可达 25A，封装形式为 SuperSO8。这种 MOSFET 以其出色的热性能和电气特性，在汽车电子、工业设备和消费类电子产品中广泛使用。
IPD25N06S4L-30 的设计目标是优化开关损耗和导通损耗之间的平衡，从而提高整体系统效率。同时，该器件采用无铅 (Pb-free) 封装，符合 RoHS 标准。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：25A
导通电阻 (Rds(on))：4.5mΩ 典型值
栅极电荷 (Qg)：21nC 典型值
输入电容 (Ciss)：1750pF 典型值
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SuperSO8
1. 超低导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频应用场景，降低开关损耗。
3. 强大的散热性能，支持高功率密度设计。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下的可靠性。
5. 支持高侧和低侧开关应用，灵活性强。
6. 良好的抗雪崩能力和 ESD 保护功能，提高了系统的鲁棒性。
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 DC/DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
2. 电机驱动器，例如步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 和有刷直流电机。
3. 工业逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. 汽车电子控制单元 (ECU) 和车身控制模块 (BCM) 中的负载切换。
5. LED 照明驱动电路中的恒流控制。
6. 各种电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
IRF540N, STP25NF06L
