时间：2025/8/14 13:38:55
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BAT54C_R1_000Z9是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的双路双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）阵列。该器件集成了两个PNP晶体管，采用SOT-23（SC-59）封装，适用于小型电子设备和高密度电路设计。BAT54C_R1_000Z9主要用于通用开关和放大应用，具有良好的性能和可靠性，适合在消费电子、工业控制以及通信设备中使用。该器件的设计旨在提供紧凑且高效的解决方案，以满足现代电子系统对空间和性能的双重需求。
类型：双路PNP晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散（PD）：300mW
频率响应：100MHz
封装类型：SOT-23（SC-59）
工作温度范围：-55°C至+150°C
增益带宽积（GBW）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据工作点不同而变化）
BAT54C_R1_000Z9作为一款双路PNP晶体管阵列，具备多个重要特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适用于高密度PCB布局，尤其适合空间受限的设计。其次，BAT54C_R1_000Z9的两个PNP晶体管具有较高的电流增益（hFE），典型值范围为110至800，这使得它在低噪声放大和开关应用中表现出色。此外，该器件的最大集电极-发射极电压（VCEO）为100V，最大集电极电流为100mA，能够在较高电压和电流条件下稳定工作，适用于多种通用电子电路。该晶体管的频率响应高达100MHz，使其适用于中高频放大电路。此外，其最大功率耗散为300mW，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。BAT54C_R1_000Z9的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境，提高了其在工业控制和汽车电子等领域的适用性。由于其集成双晶体管结构，BAT54C_R1_000Z9能够减少电路中的元件数量，提高系统的可靠性和可制造性，同时降低整体成本。
BAT54C_R1_000Z9双路PNP晶体管广泛应用于多种电子系统中，包括消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。在消费电子产品中，该器件可用于音频放大器、逻辑电平转换器和电源管理电路。在工业控制系统中，BAT54C_R1_000Z9可用于传感器接口、继电器驱动和信号处理电路。在通信设备中，该晶体管可用于射频（RF）放大和信号调节。此外，在汽车电子领域，BAT54C_R1_000Z9可用于车载传感器控制、LED照明驱动和车载网络接口电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其特别适合在严苛环境中使用。
BC850系列
BC848系列
MMBT3906
