BAT54 LV3 时间：2025/8/17 1:51:46 阅读：14

BAT54 LV3 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的双P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于低电压、高效率的电源管理应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高功率密度，适用于电池供电设备、负载开关和电源管理系统。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大1.8A
　　漏源电压（VDS）：最大20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.095Ω（典型值）
　　栅极电荷（QG）：5.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT23-6

特性

BAT54 LV3 MOSFET采用了先进的Trench技术，提供了极低的导通电阻，确保了在低电压应用中的高效率运行。这种器件的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，其封装设计紧凑，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子产品和小型电子设备中。
　　BAT54 LV3的额定漏极电流为1.8A，漏源电压最大为20V，适用于中等功率的电源管理应用。其栅源电压范围为±8V，具备良好的栅极控制能力，同时具备较高的可靠性。该器件的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适用于多种环境条件下的稳定运行。
　　此外，BAT54 LV3的封装为SOT23-6，这是一种常见的表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于自动化生产和安装。其低导通电阻和低电荷特性使其在电池供电设备中能够有效延长电池寿命，提高整体系统效率。

应用

BAT54 LV3 MOSFET主要应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也适用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池充电管理系统。在工业自动化和通信设备中，BAT54 LV3用于实现高效率的电源转换和管理，提高系统的整体性能和能效。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。