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BAT41HT1G 发布时间 时间:2025/8/11 19:29:35 查看 阅读:14

BAT41HT1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的双P型肖特基二极管,广泛应用于需要高效能和高频率操作的电路中。该器件采用小型SOT-23封装,适用于表面贴装技术。

参数

类型:双P型肖特基二极管
  最大重复反向电压:30V
  最大平均整流电流:100mA
  正向电压降:最大0.35V(在100mA时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-65°C至150°C
  封装:SOT-23

特性

BAT41HT1G的主要特性包括低正向电压降,这有助于减少能量损耗并提高效率;快速开关能力使其适用于高频应用;双二极管设计允许在单个封装中实现多种功能,节省电路板空间;此外,其耐用的封装设计提供了良好的热性能和机械稳定性。
  该器件的肖特基结构提供了低反向恢复时间,从而减少了开关损耗,非常适合用于DC-DC转换器和电源管理应用。同时,BAT41HT1G的高可靠性使其在恶劣的工作环境中依然能保持稳定性能。

应用

BAT41HT1G常用于以下应用场景:便携式电子设备的电源管理、DC-DC转换器、电压检测电路、信号隔离、保护电路以及高频整流应用。此外,它也适用于需要低电压降和快速恢复特性的电路设计。

替代型号

BAT41WS, BAT41WU, BAT41EHT1G

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