时间：2025/8/28 20:17:28
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BAT17DS-GS18 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双串联 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件封装在紧凑的 8 引脚表面贴装（SOP）封装中，适用于多种高效率电源管理应用。BAT17DS-GS18 专为低电压、高电流应用设计，具有较低的导通电阻和优异的热性能，使其成为电池供电设备和便携式电子产品的理想选择。
类型：MOSFET（N 沟道）
漏源电压（VDS）：20V
漏极电流（ID）：4A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷（Qg）：6.5nC
封装类型：SOP-8（双 MOSFET 封装）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功率耗散：2W
输入电容（Ciss）：360pF @ VDS=10V
BAT17DS-GS18 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，提供非常低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗并提高效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。由于其双 MOSFET 结构，BAT17DS-GS18 可用于同步整流、负载开关或 H 桥配置中的高端和低端驱动。
该器件采用 SOP-8 封装，尺寸紧凑，便于在空间受限的设计中使用，同时提供良好的热管理性能。其工作温度范围广泛，适合工业和消费类应用。此外，BAT17DS-GS18 具有较高的耐用性和稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
此 MOSFET 支持逻辑电平驱动，栅极驱动电压在 2.5V 到 4.5V 之间均可正常工作，因此可以直接由微控制器或其他数字逻辑电路驱动，无需额外的栅极驱动器电路。这种特性使其在嵌入式系统、电池管理系统和电源管理模块中非常受欢迎。
BAT17DS-GS18 广泛应用于便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、同步整流、H 桥电路以及工业自动化控制系统。其双 MOSFET 配置使其在同步降压或升压变换器中表现出色，尤其适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
在电池管理系统中，BAT17DS-GS18 可用于电池充放电控制和负载切换，提供低功耗和高可靠性。此外，它也常用于电机驱动电路中，作为 H 桥的上下桥臂，实现电机正反转控制。在电源管理模块中，BAT17DS-GS18 可用于多路电源切换和负载分配，提高系统的整体效率和稳定性。
Si2302DS-T1-GE3
NXM4851NBR2
TSM2302CX
