类型：双通道高速开关二极管
　　最大反向电压（VR）：100V
　　最大正向电流（IF）：100mA
　　反向漏电流（IR）：100nA（最大）
　　正向电压降（VF）：1.25V @ 10mA
　　反向恢复时间（trr）：4ns（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363

BAS70SW T/R具备优异的开关特性，其反向恢复时间（trr）极短，最高可达4ns，适用于高频开关电路和高速信号整流应用。该器件具有低正向电压降（VF），在10mA条件下仅为1.25V，有助于降低功耗并提高能效。此外，BAS70SW T/R的反向漏电流（IR）非常低，最大值为100nA，确保在高温环境下仍能保持良好的稳定性。
　　这款双通道二极管在SOT-363封装内集成两个独立的二极管，支持多种连接方式，如并联或独立使用，适用于复杂的电路设计需求。其封装形式适合表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。
　　由于其宽工作温度范围（-55°C至+150°C），BAS70SW T/R能够在极端环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化和通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。

BAS70SW T/R广泛应用于各种电子系统中，如高速信号整流、电压钳位、极性保护和逻辑控制电路。在通信设备中，该器件可用于射频信号切换和高频整流，提高系统响应速度和稳定性。在工业控制系统中，BAS70SW T/R可作为高频开关元件，用于驱动继电器、传感器和执行器等外围设备。此外，该二极管还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源管理和信号路径控制。
　　由于其双通道结构，BAS70SW T/R也常用于冗余电源设计和多路信号隔离电路，以提高系统的可靠性和灵活性。

BAS70W-7-F