类型：双PIN二极管
　　材料：硅（Si）
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：30 V
　　结电容（@ 1 MHz）：2.5 pF
　　反向恢复时间：10 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BAS70-04,74的主要特点之一是其两个独立的PIN二极管结构，允许在单个封装中实现多个射频信号路径的控制或处理。这种双通道设计提高了电路设计的灵活性，减少了PCB空间占用。
　　其低结电容（Typ. 2.5 pF @ 1 MHz）确保了在高频应用中信号损耗最小，适合用于GHz级别的射频电路。此外，该器件具有非常短的反向恢复时间（10 ns），这使其在高速开关应用中表现出色，能够有效减少信号失真和切换损耗。
　　BAS70-04,74采用硅材料制造，具备良好的温度稳定性和可靠性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境下的电子系统。
　　该器件的最大正向电流为100 mA，最大反向电压为30 V，提供了较高的耐压能力，使其能够在多种电源和射频应用中稳定运行。SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的焊接可靠性，便于自动化生产和表面贴装。

BAS70-04,74常用于射频开关、混频器、检波器、衰减器等射频前端模块。在无线通信系统中，它可用于射频信号的切换和控制，例如在Wi-Fi、蓝牙、蜂窝通信等应用中实现天线切换或多路信号选择。
　　由于其高速特性和低电容，BAS70-04,74也广泛应用于高频振荡器、调制解调器和射频功率检测电路中。此外，该器件还适用于工业控制、测试测量设备和汽车电子中的信号处理模块。
　　在一些精密射频系统中，该双二极管可以用于构建平衡混频器或相位检波器，提高系统的整体性能。由于其SOT-23封装的小巧设计，BAS70-04,74非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。

BAS70-04,215; BAS70-04W; BAS7004