BAS521BX 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双通道、低电容、高速硅开关二极管阵列。该器件由两个独立的高速开关二极管组成,适用于需要快速响应和低电容特性的高频电路应用。BAS521BX 采用小型无铅(RoHS合规)SOT-23 封装,适用于表面贴装技术(SMT)。该器件常用于信号切换、电压钳位、逻辑隔离、电平转换等应用,尤其适用于通信设备、便携式电子产品和高速数字电路。
类型:双二极管阵列
材料:硅
最大重复峰值反向电压(VRRM):75V
最大平均整流电流(IO):100mA
最大反向漏电流(IR):100nA(@ VR = 75V)
正向压降(VF):1.2V(@ IF = 100mA)
反向恢复时间(trr):4ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
BAS521BX 具备多项优异的电气和物理特性,使其在多种电子系统中表现出色。首先,其双二极管结构允许在单个封装中实现两个独立的高速开关功能,从而节省电路板空间并简化设计。其次,该器件具有较低的正向压降(最大1.2V),在高频率开关操作中能够减少功耗,提高能效。此外,BAS521BX 的反向恢复时间极短(仅4ns),使其非常适合用于高速开关电路和数字信号处理环境。
另一个显著特点是其低反向漏电流(最大100nA),即使在较高的反向电压下也能保持良好的隔离性能,适用于高精度模拟和射频信号处理应用。该器件的SOT-23封装不仅体积小巧,而且具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化装配流程。同时,BAS521BX 符合RoHS标准,无卤素,符合现代环保要求,适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。
BAS521BX 广泛应用于需要高速开关和低电容特性的电子系统中。其典型应用包括高速信号切换、电平转换、逻辑隔离、电压钳位、电源管理以及射频信号路径控制。该器件也常用于通信设备中的调制解调器、接口转换器和数据线保护电路。此外,BAS521BX 还适用于便携式电子设备中的电池充电电路和电压检测电路,能够有效提高系统稳定性和能效。在工业自动化系统中,该器件可用于传感器信号调理、高速逻辑控制以及数字信号隔离。由于其良好的高频特性和低寄生参数,BAS521BX 也可用于射频前端模块中的开关和隔离电路,提升整体系统性能。
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"BAS520",
"BAS516",
"BAV99"
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