类型：硅开关二极管
　　封装类型：SOT23（TO-236AB）
　　最大正向电流：100 mA
　　反向击穿电压：80 V
　　正向电压降：1.25 V（最大值）
　　最大反向电流：100 nA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　电容值（@ 0V, 1MHz）：2.5 pF（最大值）
　　最大功率耗散：300 mW

BAS516 8K/R以其优异的高频性能和低电容特性著称，这使其在射频和高速数字电路中表现良好。其SOT23封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热性能，确保了器件在高负载条件下的稳定性。该二极管的快速恢复时间（反向恢复时间trr通常小于4 ns）使其非常适合用于高速开关应用。此外，其高反向击穿电压（80V）和较低的正向压降（1.25V）提高了电路的效率和可靠性。
　　该器件的低泄漏电流（最大100nA）在高温环境下也能保持良好的性能，减少了电路的静态功耗。同时，其封装材料符合RoHS标准，符合现代电子产品的环保要求。BAS516 8K/R在各种应用中提供了稳定的性能，尤其是在需要高频响应和低功耗设计的场合。

该二极管广泛应用于射频（RF）开关、信号整流、电压检测、逻辑电路保护以及高速数字电路中的箝位和隔离。此外，它也常用于消费类电子产品如智能手机、无线路由器和数字电视中的信号处理模块。在工业控制和通信设备中，BAS516 8K/R被用来提升高频电路的效率和稳定性，例如在天线调谐电路或射频信号路径中作为开关元件。其低电容和快速恢复时间特性使其成为理想的高速整流和信号切换元件。

1N4148W-7-F, 1N4148WS, BB131, BB133, BAS16