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GA0603H122JBBAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 21:04:09 查看 阅读:6

GA0603H122JBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频开关操作,适用于工业和消费类电子产品中的多种应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:超快
  封装形式:TO-263

特性

GA0603H122JBBAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度使得该器件非常适合高频应用环境。
  3. 高额定电流能力使其能够承受较大的负载需求。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片在实际应用中的可靠性。
  5. 封装紧凑,便于安装与散热设计,适合现代化的小型化要求。
  6. 稳定的工作性能,能够在广泛的温度范围内正常运行。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制器
  3. DC-DC 转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 消费类电子产品中的负载开关
  由于其高效能和高可靠性,GA0603H122JBBAT31G 成为了众多工程师在设计高功率密度系统的首选元器件。

替代型号

IRF3710,
  STP30NF06,
  FDPF6N60,
  AO6200

GA0603H122JBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-