晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-416
　　增益带宽积：250MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据工作电流和等级不同）

BAS40TW_R1_00001 晶体管具有多项优异特性，使其在多种应用场景中表现出色。
　　首先，该晶体管具备较高的频率响应能力，其增益带宽积高达 250MHz，适合用于高频放大电路。这使其在射频（RF）前端、信号处理和高速开关电路中具有良好的性能表现。
　　其次，BAS40TW_R1_00001 的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体数值取决于工作电流和器件等级。这种宽增益范围为设计者提供了更大的灵活性，可以根据应用需求选择合适的工作点，从而优化电路性能。
　　此外，该晶体管的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为 50V，允许其在较高电压环境下稳定工作。最大集电极电流为 100mA，适合用于中低功率的开关和放大电路。其功耗为 200mW，适用于小型化、低功耗电子设备。
　　封装方面，BAS40TW_R1_00001 使用 SOT-416（SC-74A）封装，尺寸小巧，便于在紧凑的 PCB 设计中使用。这种封装也提供了良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和装配可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端环境条件下稳定运行。这使其适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等对温度适应性要求较高的应用场合。

BAS40TW_R1_00001 主要应用于以下领域：
　　1. **信号放大电路**：由于其高频响应和较高的增益带宽积，BAS40TW_R1_00001 被广泛用于音频、射频和数据信号的前置放大电路中，能够有效提升信号强度并保持信号完整性。
　　2. **开关电路**：该晶体管可作为电子开关使用，适用于数字电路中的逻辑控制、继电器驱动和 LED 控制等场景。其快速响应能力和较高的电流承载能力使其成为理想的开关元件。
　　3. **电源管理**：在低功耗系统中，BAS40TW_R1_00001 可用于电压调节和电流控制电路，帮助优化系统的能效表现。
　　4. **工业控制**：该晶体管适用于工业自动化设备中的传感器信号处理、执行机构控制等场景，能够满足工业环境下的高可靠性和稳定性要求。
　　5. **消费电子产品**：由于其小型封装和优异性能，该晶体管常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中，为设备提供高效的信号处理和电源管理能力。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A