型号: BAS40S T/R
　　封装类型: SOT-23
　　最大正向电流: 100 mA
　　最大反向电压: 70 V
　　正向压降: 1.25 V @ 10 mA
　　反向漏电流: 100 nA @ 70 V
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -65°C 至 +150°C
　　二极管配置: 单个开关二极管
　　最大功率耗散: 300 mW

BAS40S T/R是一款高性能的硅开关二极管，专为高频和高速开关应用设计。其主要特性包括低正向压降、快速恢复时间和低反向漏电流。该器件采用SOT-23小型封装，有助于节省电路板空间，并提高在高频电路中的性能。
　　低正向压降（通常为1.25V）意味着在正向导通状态下功耗较低，这有助于提高能效并减少热量产生。此外，该器件的最大正向电流为100 mA，足以满足大多数低功率开关应用的需求。
　　快速恢复时间是BAS40S T/R的另一大优势，使其适用于需要快速切换的电路中。该特性减少了在高频应用中由于二极管恢复时间过长而导致的信号失真或效率降低的问题。因此，BAS40S T/R常用于射频（RF）开关、信号路由和保护电路中。
　　此外，该二极管具备良好的热稳定性和可靠性，在-55°C至+150°C的温度范围内均可稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的应用。

BAS40S T/R广泛应用于多个领域，包括通信设备、消费电子产品和工业控制系统。其主要用途包括射频信号切换、电压钳位、反向电流保护以及逻辑电路中的开关功能。
　　在通信设备中，BAS40S T/R常用于射频前端模块中，作为天线切换开关或信号路径选择元件。由于其低电容和快速恢复时间，该器件能够有效减少信号损失和失真，从而提高通信质量。
　　在消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和无线耳机，BAS40S T/R可用于电源管理电路中的保护元件，防止因电源反接或过压而损坏系统。
　　在工业控制系统中，该二极管可用于继电器驱动电路、逻辑控制电路和接口保护电路。由于其封装小巧，BAS40S T/R也适用于空间受限的设计中，帮助工程师实现更紧凑的产品设计。

BAS16 T/R, 1N4148W-7-F, BB131, BAR14S