时间：2025/7/23 13:00:41
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Y25NA60 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率、高频率的电源转换应用。这款MOSFET采用了先进的工艺技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其额定电压为600V，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、照明设备以及电机控制等场合。Y25NA60采用TO-220F封装，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：25A（在TC=25℃）
脉冲漏极电流(Idm)：100A
导通电阻(Rds(on))：0.28Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220F
Y25NA60 功率MOSFET具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达600V，使其适用于高电压输入的电源系统。此外，Y25NA60的封装设计优化了散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适合高频应用。Y25NA60的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅源电压范围内正常工作，增强了其在不同应用中的适应性。其高可靠性设计和优良的热稳定性也使其在恶劣工作环境下表现出色。
Y25NA60 通常用于多种电力电子设备中，尤其是在需要高效能和高可靠性的应用中。常见应用包括AC-DC和DC-DC电源转换器、高效率开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、电机控制、电池充电器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，它也广泛应用于功率因数校正（PFC）电路和高频逆变器中。此外，Y25NA60的高可靠性和良好的热性能使其成为车载电子系统和可再生能源系统中的理想选择。
TK25A60W, 2SK2143, 2SK2545
