类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　最大正向电流（IF）：300mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：520mV @ 10mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 40V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-123F
　　安装类型：表面贴装
　　高度：0.95mm Max
　　包装形式：卷带编带

BAS40HMFHT116的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了正向导通电压，典型值仅为520mV（在10mA条件下）。这一低VF特性意味着在导通状态下能量损耗更小，有助于提高电源系统的整体能效，尤其是在电池供电设备中延长续航时间。同时，由于没有少数载流子存储效应，该器件具备极快的开关响应能力，反向恢复时间（trr）仅约4ns，远优于普通PN结二极管，使其非常适合高频开关应用，如开关模式电源（SMPS）、同步整流旁路以及高速信号整流等场景。
　　另一个关键优势在于其微型SOD-123F封装，尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 0.95mm，在保持良好散热性能的同时极大节省了PCB布局空间，适用于高集成度的便携式电子产品设计。该封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，支持自动化贴片生产流程。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境温度下仍能稳定运行，增强了系统在工业与汽车应用中的适应能力。
　　此外，BAS40HMFHT116具备出色的热稳定性与长期可靠性，经过严格的寿命测试和高温反偏（HTRB）验证，保证在持续高压应力下的耐用性。其低漏电流特性（最大5μA @ 40V）减少了待机状态下的静态功耗，有利于实现节能设计。综合来看，这款二极管凭借低VF、快速响应、小尺寸和高可靠性，成为现代高效能电子系统中理想的整流与保护元件选择。

BAS40HMFHT116广泛应用于多种需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器输出整流，例如智能手机、平板电脑和无线耳机的电源管理模块，利用其低正向压降减少发热并提升转换效率。它也常用于电池充电电路中的防反接保护或防止电池反向放电，保障系统安全。在LED驱动电路中，可用于防止电流倒灌，保护控制芯片。此外，在高频开关电源（如AC-DC适配器的次级侧整流）、电压钳位电路和续流二极管应用中表现出色，得益于其快速的反向恢复特性，能够有效抑制电压尖峰，提升系统稳定性。
　　该器件同样适用于信号处理领域，如射频检波、信号解调和逻辑电平移位电路，因其快速响应能力可准确跟踪高频信号变化。在汽车电子方面，尽管其电流容量有限，但可在车身控制模块、车载信息娱乐系统的小信号整流或电源路径切换中发挥作用，尤其适合非主功率路径的辅助功能。工业控制设备、传感器模块和IoT节点设备也常采用此类小型肖特基二极管进行局部电源隔离和瞬态保护。总体而言，BAS40HMFHT116凭借其紧凑尺寸、高效性能和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "BAS40-04W",
　　 "RB751S40",
　　 "PMDS390"
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