您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFK32N50

IXFK32N50 发布时间 时间:2025/8/25 0:24:48 查看 阅读:7

IXFK32N50 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制等高功率场景。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的耐压能力,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):32A(在 25°C 时)
  导通电阻(Rds(on)):0.155Ω(最大值)
  功率耗散(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247AC

特性

IXFK32N50 的核心优势在于其低导通电阻和高耐压能力的结合,使其在高压高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为 0.155Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体效率。此外,该 MOSFET 支持高达 32A 的漏极电流,在大电流应用中也能保持良好的性能。
  该器件采用了 TO-247AC 封装,具有良好的散热性能,适用于需要高效散热的工业级应用。IXFK32N50 还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度和能效。
  该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许使用标准的栅极驱动器进行控制,兼容性强。同时,其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,适用于多种恶劣环境条件。
  另外,IXFK32N50 在设计上具备良好的雪崩能量耐受能力,能够在突发过压或反向电流情况下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性和寿命。

应用

IXFK32N50 主要应用于各种高功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、UPS(不间断电源)、逆变器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备等。由于其高耐压和低导通电阻的特性,该 MOSFET 特别适合用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。
  在开关电源中,IXFK32N50 可作为主功率开关使用,能够有效提升电源转换效率,减少热量产生。在电机控制应用中,它可用于 PWM 控制电路,实现对电机速度和扭矩的精确调节。此外,该器件还可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,以满足新能源领域的高效率需求。

替代型号

STP32NM50ND, FCP32N50, IRFP460LC

IXFK32N50推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFK32N50资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载