BAS40CWT/R 时间：2025/8/15 4:51:16 阅读：5

BAS40CWT/R 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的双通道肖特基二极管阵列芯片，常用于低电压和高频开关应用中。该器件采用SOT-323（也称为SC-70）小型封装，具有较低的正向压降和快速的恢复时间，适合用于电源管理、信号整流、电压钳位等电路中。

参数

类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双通道共阴极（Common Cathode）
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向峰值电压（VRM）：40 V
　　正向压降（VF）：最大0.3 V（在10 mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大100 nA（在25°C时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

特性

BAS40CWT/R 肖特基二极管阵列具有多个关键特性，使其在众多应用中表现出色。
　　首先，其低正向压降（最大0.3V）显著降低了功耗，提高了电路效率，这在电池供电设备中尤为重要。这种低VF特性使得该器件非常适合用于低电压系统中的整流和反向电压保护。
　　其次，BAS40CWT/R 的快速恢复时间（通常小于5ns），使其适用于高频开关应用。这在射频电路、DC-DC转换器和高速逻辑电路中尤为关键，可以有效减少开关损耗并提升系统性能。
　　此外，该器件采用双通道共阴极结构，允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极连接，从而简化了PCB布线并节省了空间。这种配置非常适合用于电压钳位、信号隔离和逻辑门电路中的保护。
　　其SOT-323小型封装不仅体积小巧，适合高密度PCB设计，而且具备良好的热稳定性，可在恶劣环境中稳定工作。BAS40CWT/R 的额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保其在工业级应用中具备高可靠性。
　　最后，该器件的反向漏电流较低（最大100nA），减少了在高温下的漏电问题，使其适用于高精度模拟电路和对漏电流敏感的应用。

应用

BAS40CWT/R 肖特基二极管阵列广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　电源管理系统中的电压钳位与反向极性保护；
　　便携式电子设备中的低功耗整流和电源切换；
　　DC-DC转换器中的高频整流；
　　射频模块中的信号隔离和保护；
　　数字电路中的逻辑门隔离与ESD保护；
　　汽车电子系统中的电源管理与信号处理。