BAS40CDW 是一款由英飞凌(Infineon)推出的双通道 N 沟道 MOSFET 驱动器芯片,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计。该器件采用先进的高压集成电路技术,具有高集成度和优异的驱动性能。BAS40CDW 主要用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及工业自动化等应用中。其双通道设计允许独立控制两个功率开关,适用于半桥或全桥拓扑结构。
类型:MOSFET驱动器
通道数:2
工作电压范围:10V 至 30V
输出电流(峰值):±4A
输入信号类型:TTL/CMOS 兼容
传播延迟时间:约 100ns
上升/下降时间:约 20ns
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:SO-16
BAS40CDW 的主要特性包括其高驱动能力和快速响应时间,使其适用于高频开关应用。其双通道结构允许独立驱动两个功率器件,提高系统的灵活性和效率。
该芯片内置了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于安全阈值时,自动关闭输出,防止功率器件在不安全电压下运行,提高系统可靠性。
此外,BAS40CDW 还具备高边和低边自适应死区时间控制,有效防止上下桥臂同时导通造成的直通电流,从而优化开关损耗和电磁干扰(EMI)性能。
其输入信号兼容 TTL 和 CMOS 电平,简化了与控制器的接口设计。同时,BAS40CDW 具有较强的抗干扰能力,能够有效防止噪声引起的误触发。
封装方面,BAS40CDW 采用 SO-16 表面贴装封装,便于自动化生产和良好的热管理,适用于紧凑型功率转换系统。
BAS40CDW 广泛应用于各种需要高效功率控制的电子系统中,如工业电源、电机驱动器、DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、逆变器和电池管理系统(BMS)。
在电机控制领域,该器件可用于驱动 BLDC 或 PMSM 电机的功率 MOSFET,实现高效率和低噪声运行。
在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,BAS40CDW 可作为主功率开关的驱动器件,确保系统在高频下稳定工作。
此外,它也适用于电动汽车的车载充电器(OBC)和 DC-AC 逆变器模块,提供可靠的驱动性能。
由于其优异的抗干扰能力和宽工作温度范围,BAS40CDW 也适用于恶劣工业环境下的控制设备。
IRS2104S, TC4420, LM5112, MIC4102