时间：2025/12/26 3:41:18
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BAS40-05-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高频开关应用设计，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于对效率和空间要求较高的电源管理电路。其额定峰值重复反向电压（VRRM）为40V，最大平均整流电流为200mA，能够满足多种低压直流电路中的整流、续流和反向极性保护需求。BAS40-05-7-F的封装尺寸紧凑，仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子设备、通信模块和消费类电子产品中。
该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，支持绿色环保制造流程。其结构采用玻璃钝化工艺，提高了器件的可靠性与稳定性。BAS40-05-7-F在工作温度范围内表现出良好的热稳定性和电气性能一致性，可在-55°C至+150°C的结温下正常运行，确保在恶劣环境条件下的长期可靠工作。此外，该二极管具备优良的浪涌电流承受能力，增强了系统在瞬态负载变化下的鲁棒性。
型号：BAS40-05-7-F
类型：肖特基二极管
封装：SOD-123FL
极性：单路
峰值反向电压(VRRM)：40V
最大平均整流电流(IO)：200mA
正向压降(VF)：最大850mV @ 200mA, 1V @ 250mA
反向漏电流(IR)：最大500nA @ 40V, 25°C；最大4μA @ 40V, 125°C
反向恢复时间(trr)：典型值4ns
工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
热阻抗(Junction-to-Ambient, RθJA)：420°C/W
安装类型：表面贴装(SMT)
BAS40-05-7-F的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，通常在200mA电流下仅为850mV左右，显著降低了功率损耗，提升了系统的整体能效。这种低VF特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，由于其金属-半导体结的物理机制，该二极管不具备少数载流子存储效应，因此拥有极短的反向恢复时间（trr典型值为4ns），能够在高频开关环境中快速关断，有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI），适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构。
另一个关键特性是其优异的高温性能表现。尽管是小型表面贴装器件，BAS40-05-7-F仍能在高达+150°C的结温下持续工作，且反向漏电流在高温条件下控制良好，在125°C时最大仅为4μA，避免了因漏电增大而导致的功耗上升或误动作问题。这一特性使其适用于靠近发热元件（如功率MOSFET或电感）安装的应用场景。
SOD-123FL封装不仅体积小巧，还优化了引脚形状以增强焊接可靠性和回流焊兼容性，支持自动化高速贴片生产。器件本体采用黑色环氧树脂封装，具备良好的机械强度和防潮性能。此外，该型号经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高湿存储等试验，确保在工业级和消费级应用场景中的长期稳定性。
BAS40-05-7-F还具备一定的浪涌电流耐受能力，可短暂承受高于平均电流数倍的瞬态电流冲击，这在启动过程或负载突变时尤为重要，有助于提高整个电源系统的鲁棒性。综合来看，该器件结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代高效、紧凑型电源设计的理想选择之一。
BAS40-05-7-F广泛用于各类需要高效、小型化二极管的电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS）中的续流二极管或箝位二极管，尤其是在DC-DC转换器中配合电感使用，用于释放储能电感的反电动势，防止电压尖峰损坏主控芯片或MOSFET。由于其快速响应特性，也常用于高频逆变器和同步整流辅助通道中作为自举二极管。
在便携式设备领域，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，该二极管被用于电池充放电路径的隔离、多电源输入选择以及防止反向电流倒灌，保障系统安全。其低功耗特性有助于提升待机时间和整体能效。
此外，BAS40-05-7-F还可用于信号整流电路、保护电路（如过压钳位和ESD防护辅助）、逻辑电平移位电路以及各种消费类主板、路由器、IoT模块中的电源轨隔离。在汽车电子中，虽然不属AEC-Q101认证器件，但在非关键性的车载信息娱乐系统或附件模块中也有应用实例。总的来说，凡是对空间、效率和响应速度有较高要求的低压直流电路，都是其适用场景。
BAS40-05W-7-F
PMDS390
MBR0540T1G
RB751S40
