类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on))：约0.6Ω
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-3

2N2308具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功率损耗最小，从而提高整体效率。其次，该MOSFET具有高漏-源击穿电压（100V），能够承受较高的电压应力，适用于多种中等功率应用。
　　此外，2N2308的栅极驱动特性较为稳定，能够在±20V的栅-源电压范围内可靠工作，提供了较大的设计灵活性。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件采用TO-3金属封装，散热性能良好，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度。这种封装形式也提供了良好的机械稳定性和耐用性，适合工业环境下的长期使用。
　　2N2308还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。这些特性使其成为电源转换器、直流电机控制器和负载开关等应用的理想选择。

2N2308广泛应用于各种需要中等功率控制的电子系统中。例如，在电源管理电路中，它可用于DC-DC转换器和开关电源（SMPS）中的功率开关元件，提供高效的能量转换。
　　在电机控制领域，2N2308可用于直流电机的速度和方向控制，特别是在机器人、自动化设备和电动工具中。它还可以用于电池管理系统中的负载切换，确保电池在安全范围内运行。
　　此外，该器件适用于功率放大器设计，尤其是在音频放大器和射频功率放大器中，用于提供高保真信号输出。由于其良好的热性能和高可靠性，2N2308也常用于工业控制系统、照明调节和电源保护电路。

IRF540, FQP50N06, 2N6764