BAS321/8X 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管(BJT),属于通用型NPN晶体管。该器件采用SOT23封装,具有体积小、功耗低、高频响应良好的特点,广泛应用于小信号放大、开关电路、逻辑电路及接口电路等场景。该晶体管具有良好的线性放大特性,适用于低频至高频范围内的各种通用电子应用。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
频率响应(fT):100MHz
电流增益(hFE):110 - 800(根据等级划分)
封装形式:SOT23
BAS321/8X晶体管具有多项优异的电气特性,适用于多种通用电子电路设计。其最大集电极-发射极电压为30V,允许其在中等电压环境下稳定工作。最大集电极电流为100mA,适合用于低功率信号放大和开关控制。晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,具体取决于等级划分(例如hFE等级为L、M、Q等),使得设计人员可以根据具体需求选择合适的器件。此外,该晶体管具有100MHz的过渡频率(fT),表现出良好的高频响应特性,适用于高频信号放大和处理电路。SOT23封装形式使其适用于表面贴装工艺,便于在现代PCB设计中使用。整体上,BAS321/8X是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的小信号晶体管。
该器件还具有良好的热稳定性和抗干扰能力,在不同温度条件下仍能保持稳定的性能。其封装设计也有助于散热管理,确保长时间运行的可靠性。这些特性使得BAS321/8X成为消费类电子产品、工业控制设备、通信模块和传感器接口电路中的理想选择。
BAS321/8X晶体管广泛应用于多个电子领域,包括但不限于以下方面:在音频放大电路中,用于前置放大器、信号增强器和低噪声放大器;在数字电路中,用于构建逻辑门、缓冲器和电平转换器;在电源管理电路中,用于控制LED背光、小型电机和继电器的驱动;在射频(RF)系统中,用于中低频信号放大和调制解调电路;此外,该晶体管也常用于模拟开关、传感器信号调理和接口转换模块等场景。由于其高频响应和低功耗特性,BAS321/8X也被广泛应用于无线通信模块、数据采集系统和嵌入式控制系统中。
BC817、2N3904、MMBT3904、BC547