晶体管类型：NPN + PNP组合
　　最大集电极电流：100 mA（NPN），100 mA（PNP）
　　最大集电极-发射极电压：50 V（NPN），50 V（PNP）
　　最大功耗：200 mW
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz（NPN），100 MHz（PNP）
　　封装类型：SOT-553

BAS21W_R1_00001 晶体管组合具有多个显著特性，使其在电子设计中备受青睐。首先，该器件采用了 NPN 和 PNP 两种晶体管的组合设计，可以在同一封装中实现双向控制和互补操作，特别适用于需要高低电平转换、信号放大或驱动电路的应用场景。这种组合设计可以有效减少 PCB 板的空间占用，提高电路的集成度。
　　其次，该晶体管具有较高的过渡频率（fT）为 100 MHz，表明其具备良好的高频响应能力，适合用于中高速开关电路。在数字电路中，它能够快速切换状态，减少信号延迟，提高系统响应速度。
　　此外，BAS21W_R1_00001 的最大集电极-发射极电压为 50 V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源电压范围内的电路设计。其最大集电极电流为 100 mA，足以驱动小型继电器、LED 指示灯、蜂鸣器等低功耗负载。
　　该器件的 hFE（电流增益）范围为 110 至 800，具体取决于产品等级（通常分为不同档位）。这一特性使得用户可以根据实际电路需求选择合适的晶体管增益，从而优化电路性能。例如，在需要较高增益的放大电路中，可以选择高 hFE 档位的器件，而在对稳定性和功耗要求较高的场合，则可以选择较低 hFE 档位。
　　封装方面，BAS21W_R1_00001 采用 SOT-553 小型表面贴装封装，适合自动化贴片生产流程，降低制造成本。同时，该封装具备良好的热稳定性和机械强度，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

BAS21W_R1_00001 由于其独特的 NPN + PNP 组合结构和优良的电气性能，被广泛应用于多个领域。在工业自动化控制中，该晶体管可用于驱动小型继电器、光耦合器和 LED 显示屏；在消费电子产品中，常见于逻辑控制电路、电平转换模块以及传感器信号调理电路；在汽车电子系统中，该器件可应用于车灯控制、仪表盘显示驱动、车载通信模块的信号处理等场景。
　　此外，该晶体管也可用于构建互补型推挽输出电路，实现数字信号的高效传输和放大。在电源管理系统中，它可以作为低功耗开关使用，控制电池充放电路径或电源切换。由于其具备较高的电压和电流耐受能力，BAS21W_R1_00001 在各种嵌入式系统和物联网设备中也得到了广泛应用。

BAS21W, MMBT2907A, BC850, BC847