您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RD3P050SNTL1

RD3P050SNTL1 发布时间 时间:2025/5/30 14:14:55 查看 阅读:5

RD3P050SNTL1 是一款基于硅技术的高功率整流二极管,采用 TO-252 封装形式。该器件具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适用于各种电源转换电路、电机驱动及开关电源应用。其设计旨在提供高效率和可靠的整流功能,能够承受较高的电流和电压瞬态。

参数

最大重复峰值反向电压:60V
  最大平均整流电流:3.0A
  典型正向电压降(@If=2A):0.7V
  最大功耗:4W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252

特性

RD3P050SNTL1 的主要特点包括低正向压降以减少功率损耗,同时具备出色的热稳定性和耐浪涌能力。该二极管在高频开关应用中表现出较低的恢复时间,从而减少开关损耗并提高系统效率。此外,其紧凑的 TO-252 封装有助于节省印刷电路板空间。
  该器件还通过了严格的可靠性测试,确保在恶劣环境条件下长期运行的稳定性。对于需要高性能整流的应用,这款二极管是一个理想选择。

应用

RD3P050SNTL1 广泛应用于多种领域,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、工业控制设备、家用电器中的电机驱动电路以及 LED 驱动器等。其低正向压降特性和高频性能使其成为这些应用的理想解决方案。
  此外,它也适用于汽车电子中的辅助电路、电池充电器和太阳能逆变器中的功率管理部分。

替代型号

RD3P050SNHL1
  RD3P050SNTL2
  MUR150TLL

RD3P050SNTL1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RD3P050SNTL1参数

  • 现有数量2,143现货
  • 价格1 : ¥7.23000剪切带(CT)2,500 : ¥3.19586卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)530 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)15W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63