型号：BAS21W-7-F
　　封装类型：SOD-323 (SC-70)
　　极性：单二极管
　　材质：硅
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大正向电流：200mA
　　峰值反向电压：70V
　　最大反向漏电流：5μA @ 60V
　　正向电压降：1.25V @ 20mA
　　反向恢复时间：4ns @ IF = 10mA, IR = 1mA, VSW = 6V
　　功率耗散：200mW

BAS21W-7-F具备优异的高频开关特性，其反向恢复时间典型值仅为4纳秒，能够在高频信号环境中实现快速导通与关断，有效减少信号失真和延迟，适用于高速数据线路中的信号整形与隔离。该二极管的峰值反向电压达到70V，在常规低压电路中提供了足够的安全裕度，可防止因瞬态过压导致的器件损坏。
　　其低反向漏电流（最大5μA @ 60V）确保了在高阻抗电路或待机模式下不会引入显著的静态功耗，有助于提升系统的能效表现，特别适合电池供电设备的应用需求。正向电压降在20mA条件下为1.25V，属于同类小信号二极管中的合理水平，能够在保证导通效率的同时避免过热问题。
　　SOD-323封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.0×1.25×1.0mm），还具备良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，提高了PCB布局的灵活性和组装效率。该封装引脚间距为0.65mm，兼容主流回流焊工艺，且无需额外加固即可承受一定振动与冲击环境。
　　器件工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。产品符合AEC-Q101可靠性标准的部分要求，并通过了MSL级别1的湿敏等级认证，增强了在恶劣环境下的耐用性。
　　BAS21W-7-F还具有较强的静电放电（ESD）防护能力，能够承受一定程度的人体模型（HBM）放电冲击，减少了在装配和使用过程中的失效风险。整体设计兼顾电气性能、物理尺寸与制造兼容性，是一款成熟可靠的通用型开关二极管。

BAS21W-7-F广泛应用于各类需要高频信号切换和小电流整流功能的电子系统中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的音频路径切换、SIM卡接口保护、USB数据线ESD防护以及LCD背光驱动电路中的反向电压抑制。在无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙和GPS接收器中，该二极管可用于天线切换或本振信号路径的隔离，以提升射频前端的信噪比与稳定性。
　　在消费类电子产品如数码相机、可穿戴设备和便携式医疗仪器中，其小型封装和低功耗特性使其成为理想的电路保护元件。此外，它也常用于电源管理单元中，作为逻辑电平移位电路的一部分或用于防止反向电流流动，保障主控芯片的安全。
　　工业控制领域中，BAS21W-7-F可用于传感器信号调理电路中的箝位与保护，防止感应电压尖峰对敏感输入端造成损害。在嵌入式系统和微控制器外围电路中，它可以构成简单的OR-ing电路或用于按键去抖动设计。
　　由于其具备一定的高温工作能力，也可应用于车载信息娱乐系统或驾驶辅助设备中的非动力总成电子模块。总体而言，该器件因其高频响应快、封装紧凑、可靠性高等优点，被广泛集成于现代高密度印刷电路板设计中，满足多样化的小信号处理与电路保护需求。

BAS21-TP\BAS21WT-7-F\1N4148WS-7-F\MMBD1401-7-F