最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
　　最大平均整流电流（IO）：200 mA
　　正向压降（VF）@ 10mA：1.25 V（最大）
　　反向漏电流（IR）@ 100V：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BAS21T/R 是一款高性能的硅开关二极管，具备快速开关能力和高可靠性。其最大重复峰值反向电压为 100V，能够承受较高的反向电压冲击，适用于需要较高耐压的电路环境。最大平均整流电流为 200mA，适合中低电流的整流应用。正向压降在 10mA 电流下最大为 1.25V，表明其导通损耗较低，有助于提高电路效率。
　　此外，BAS21T/R 在 100V 反向电压下的漏电流最大为 100nA，显示出良好的反向阻断能力，有助于减少电路中的静态功耗。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制和汽车电子系统。SOT-23 小型封装形式使其适用于高密度 PCB 布局，便于自动化生产和组装。
　　该器件还具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在频繁开关操作中保持稳定性能。由于其广泛的工作电压范围和可靠的性能表现，BAS21T/R 常被用于电源管理、信号切换、电压钳位和保护电路中。例如，在通信设备中，BAS21T/R 可用于保护敏感的模拟和数字电路免受静电放电（ESD）和过电压事件的影响。
　　综上所述，BAS21T/R 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电子设计中的首选开关二极管。

BAS21T/R 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理电路：用于整流、极性保护和电压钳位。
　　2. 信号切换电路：在模拟和数字电路中实现信号路径的切换。
　　3. 通信设备：用于保护接口电路免受静电放电（ESD）和过电压的影响。
　　4. 工业控制系统：在继电器驱动电路和传感器接口中提供开关功能。
　　5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和便携式设备中的电源管理和保护电路。
　　6. 汽车电子：用于车载电源系统和传感器接口，提供高可靠性和耐久性。

1N4148WS, 1N4448, BAS16, 1N914