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BAS21SLT1 发布时间 时间:2025/4/25 10:20:50 查看 阅读:5

BAS21SLT1是一种双极型小信号晶体管,采用SOT-23封装形式。该晶体管主要设计用于高频和低噪声应用场合。其结构为NPN类型,具有较高的增益和频率特性,适用于射频放大器、混频器以及其他高频电路。由于其小型化封装和优异的电气性能,BAS21SLT1在现代电子设备中得到了广泛应用。

参数

集电极-发射极电压:45V
  集电极电流:200mA
  功率耗散:350mW
  过渡频率(fT):1GHz
  直流电流增益(hFE):80至400
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 高频特性:其过渡频率高达1GHz,这使得它非常适合于高频放大和混频应用。
  2. 小型化封装:采用SOT-23封装,这种封装方式能够有效减少寄生电感和电容的影响,从而进一步提升高频性能。
  3. 稳定性高:BAS21SLT1具有良好的稳定性和可靠性,在各种复杂环境下仍能保持正常工作。
  4. 应用广泛:除了高频电路外,它还可以应用于音频放大器、开关电路等多种场景。

应用

1. 射频放大器:由于其高频特性和低噪声优势,常被用作射频信号放大。
  2. 混频器:可作为混频器中的关键元件,提供稳定的增益和频率转换。
  3. 开关电路:利用其快速切换能力,可以在数字电路中实现开关功能。
  4. 音频放大器:尽管主要用于高频领域,但在某些低频应用中也可以发挥良好作用。

替代型号

BAS21LT1G, MMBT2222ALT1G

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BAS21SLT1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)225mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)250V
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BAS21SLT1OS