时间：2025/8/13 20:05:47
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LMUN5134T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管（BJT）与偏置电阻集成在一起的数字晶体管（Digital Transistor）。该器件内部集成了一个 NPN 晶体管以及两个偏置电阻，通常用于逻辑信号的电平转换、开关控制和数字电路中的缓冲器设计。其主要特点是将外部所需的偏置电路集成于芯片内部，从而简化了外围电路的设计并减小了PCB布局的空间需求。
类型：NPN数字晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
输入电阻（R1）：10kΩ
输出电阻（R2）：10kΩ
电流增益（hFE）：80 @ IC=2mA, VCE=5V
最大频率（fT）：100MHz
LMUN5134T1G 的主要特性包括其内置的偏置电阻网络，使得该器件可以直接由数字信号源驱动，无需额外的偏置电路。这种集成设计不仅节省了电路板空间，还提高了系统的可靠性。
该器件具有良好的温度稳定性和高频响应能力，适用于高速开关应用。其NPN晶体管的hFE值在典型工作条件下保持稳定，确保了稳定的电流放大能力。
此外，LMUN5134T1G 采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB设计中使用。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。
LMUN5134T1G 常用于数字电路中的电平转换和信号缓冲，例如在微控制器与外围设备之间的接口电路中。它也适用于LED驱动、继电器控制、逻辑门电路以及各种低功率开关应用。
在通信设备中，该器件可用于信号路由和电平调整。此外，它也广泛应用于工业控制系统、消费电子产品和汽车电子系统中。
MMUN5134T1G, FMMT114, DTC114T
