最大正向电流：200 mA
　　最大反向电压：100 V
　　正向压降：1.25 V（最大值，@ 200 mA）
　　反向漏电流：100 nA（最大值，@ 100 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BAS21HT1H 具有多个显著的电气和物理特性，使其在各种电子电路中表现出色。
　　首先，该二极管的最大反向电压可达 100 V，使其适用于中高压整流和开关应用。其次，其最大正向电流为 200 mA，足以应对大多数低功率电路的电流需求。此外，BAS21HT1H 的正向压降最大为 1.25 V，在同类小信号二极管中具有良好的导通性能，有助于降低功耗并提高电路效率。
　　在高频应用方面，BAS21HT1H 表现出良好的响应特性，适合用于信号整流和高速开关电路。同时，其封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用，也具备良好的散热性能。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于严苛的工业环境。存储温度范围同样宽泛，为 -65°C 至 +150°C，确保了在运输和存储过程中不会因温度变化而损坏。
　　此外，BAS21HT1H 具有良好的稳定性和可靠性，适合长期运行的应用，如电源管理、逻辑控制、信号转换等电路。

BAS21HT1H 主要应用于以下领域：
　　在电源电路中，作为整流二极管用于将交流电转换为直流电，适用于低功率电源适配器、充电器等设备。
　　在逻辑电路中，该器件可用于信号隔离、电平转换及反向保护，确保数字信号的正确传输与处理。
　　在射频（RF）和高频电路中，BAS21HT1H 可用于检波、调制和混频等应用，因其快速开关特性而表现出色。
　　此外，该二极管还可用于保护电路，例如防止反向电压对敏感电子元件造成损害，常用于电池供电设备、汽车电子系统和工业控制系统中。
　　由于其小封装特性，BAS21HT1H 也广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，满足现代电子设备对小型化和高集成度的需求。

1N4148W-7-F, BAS16, 1N4448