时间：2025/12/26 8:47:36
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BAS21DW-7是一款高速硅开关二极管，专为高频信号处理和小电流开关应用设计。该器件采用双二极管配置，集成于一个微型表面贴装封装中，适用于空间受限的现代电子设备。BAS21DW-7由两个独立的PN结二极管组成，具备快速开关响应能力，反向恢复时间极短，适合用于信号整流、电平转换、箝位电路以及高频检波等场景。该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品、便携式仪器仪表及数字逻辑电路中。其制造工艺符合AEC-Q101标准要求，确保在恶劣环境下的高可靠性与稳定性。此外，BAS21DW-7具有低漏电流、高击穿电压和优良的温度特性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。由于其SOT-363（SC-88）小型化封装，极大节省了PCB布局空间，特别适合高密度贴片组装工艺，如回流焊和波峰焊。整体而言，BAS21DW-7是一款性价比高、通用性强的高频开关二极管解决方案，满足多种低功率信号处理需求。
型号：BAS21DW-7
类型：双通道高速开关二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：70 V
最大直流阻断电压（VR）：70 V
最大RMS电压（VRMS）：49 V
最大正向平均整流电流（IO）：215 mA
峰值浪涌电流（IFSM）：500 mA
最大正向电压（VF）：@ IF = 10 mA, 典型值 0.78 V
最大反向漏电流（IR）：@ VR = 60 V, 25°C, 典型值 1 μA
反向恢复时间（trr）：@ IF = 10 mA, IR = 1 mA, RL = 100 Ω, 典型值 4 ns
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
封装形式：SOT-363 (SC-88)
极性：双阳极共阴或等效配置
安装方式：表面贴装（SMD）
BAS21DW-7的核心特性之一是其超快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值仅为4纳秒，这使其非常适合高频信号切换和快速瞬态响应的应用场景。在高频通信系统中，例如射频前端模块或调制解调电路中，这种极短的恢复时间可以有效减少信号失真和交叉导通现象，提高系统的整体响应精度和效率。同时，该器件具备高达70V的最大重复峰值反向电压，确保在瞬态电压波动下仍能维持稳定工作，增强了电路的鲁棒性。
另一个显著特点是其低正向导通压降，在10mA工作电流下典型值为0.78V，有助于降低功耗并提升能效，尤其适用于电池供电的便携式设备。此外，反向漏电流在60V偏置条件下仅为1μA左右，表现出优异的阻断能力，即使在高温环境下也能保持较低的漏电水平，从而保证信号路径的纯净性和电路的长期稳定性。
BAS21DW-7采用SOT-363（SC-88）六引脚微型封装，尺寸紧凑，仅约2.0 x 1.25 x 0.95 mm，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。该封装还具备良好的热传导性能和机械强度，能够承受标准回流焊接工艺而不影响内部芯片完整性。双二极管结构允许灵活配置为独立开关、串联或并联使用，提升了设计自由度。综合来看，BAS21DW-7在速度、功耗、尺寸和可靠性方面实现了良好平衡，是现代高频低功率电路中的理想选择。
BAS21DW-7广泛应用于各类需要高速信号处理的小功率电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的LCD背光驱动电路、手机和平板电脑内的电平移位器与接口保护电路。由于其快速响应能力和低电容特性，它也常被用于高频信号的整流与检波，如无线遥控接收模块、红外数据传输装置及FM收音前端电路中。
在数字逻辑系统中，该器件可用于噪声抑制、输入输出端口的电压箝位以及防止反向电流对敏感IC造成损害。例如，在微控制器I/O引脚保护设计中，BAS21DW-7可作为瞬态电压吸收元件，将过冲或ESD事件的能量迅速泄放到地，保障主控芯片安全。此外，其双二极管结构适合构建双路信号隔离电路，应用于差分信号调理或模拟多路复用场景。
工业控制领域中，该器件可用于传感器信号调理模块中的限幅与整流功能，尤其是在低幅度交流信号检测系统中表现优异。通信基础设施如路由器、交换机中的信号耦合与直流恢复电路也可采用该型号实现高效可靠的操作。总之，凡是涉及低电流、高频率、小信号切换的场合，BAS21DW-7均能提供稳定且高效的解决方案。
BAS21-7
