BAS21/G 时间：2025/12/27 22:02:25 阅读：14

BAS21/G是Infineon Technologies生产的一款表面贴装硅开关二极管，采用SOD-323封装。该器件专为高频、小信号应用设计，具有快速开关特性和低电容，适合在高速数字电路和射频（RF）系统中用作信号切换、箝位或保护元件。其“/G”后缀通常表示符合RoHS环保标准的无铅版本，适用于现代绿色电子产品制造。BAS21/G基于PN结半导体技术，正向导通电压较低，反向恢复时间短，能够高效处理高频脉冲信号。由于其微型化封装和优良的电气性能，BAS21/G广泛用于便携式消费电子设备、通信模块、电源管理电路以及各种需要紧凑布局和高可靠性的应用场景。该器件可在较宽温度范围内稳定工作，具备良好的热稳定性和长期可靠性，适合自动化贴片生产工艺。

参数

类型：开关二极管
　　极性：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：200mA
　　最大正向压降（VF）：1.25V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 70V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　结电容（Cj）：1.5pF @ 4V
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　封装：SOD-323

特性

BAS21/G的核心优势在于其优异的高频响应能力与快速开关性能。其反向恢复时间（trr）仅为4ns，这使得它能够在高速数字逻辑电路中实现快速导通与关断，有效减少信号失真和交叉导通现象，提升系统整体响应速度。同时，该器件的结电容典型值为1.5pF，在高频应用如射频前端模块、天线调谐电路和高速数据线路保护中表现出色，能够最小化对信号路径的负载效应，保持信号完整性。此外，低正向导通压降（最大1.25V @ 10mA）确保了在小电流工作条件下的高效率，减少了功耗和热积累。
　　BAS21/G采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），非常适合空间受限的高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块等便携式设备中。该封装具备良好的散热性能和机械稳定性，支持回流焊工艺，适应现代自动化生产线要求。器件的工作结温范围从-65°C到+150°C，展现出卓越的环境适应能力，可在高温或低温极端条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　在可靠性方面，BAS21/G通过严格的品质控制流程制造，具备高抗浪涌能力和稳定的电气参数漂移特性。其最大重复峰值反向电压和直流阻断电压均为70V，适合中低压信号处理场合。反向漏电流低至5μA（在70V下），保证了在待机或关断状态下的低功耗表现，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，满足全球环保法规要求，适合出口型产品设计。

应用

BAS21/G广泛应用于各类高频、小信号处理场景。常见用途包括高速开关电源中的续流二极管或钳位二极管，用于抑制电压尖峰并保护敏感元件；在数字逻辑电路中作为电平移位器或信号隔离元件，利用其快速响应特性提高系统稳定性。该器件也常用于通信设备中的射频信号路由与切换，例如在手机天线开关模块中实现多频段选择，凭借其低结电容和高隔离度保障信号质量。
　　在消费类电子产品中，BAS21/G被大量用于USB接口、HDMI端口等高速数据线路上的静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制，防止外部过压损坏主控芯片。此外，它还可作为模拟开关电路中的组成部分，配合MOSFET或其他有源器件实现信号通断控制。在电源管理单元（PMU）中，该二极管可用于电池充放电路径的防反接保护或多个电源之间的自动切换，确保系统供电安全可靠。
　　工业控制领域中，BAS21/G适用于传感器信号调理电路、编码器接口保护以及PLC输入输出模块的瞬态抑制。汽车电子中，尽管非车规级认证版本不适用于关键安全部件，但其仍可用于车载信息娱乐系统的辅助电路、LED驱动模块或低功率DC-DC转换器中。总之，凡涉及小电流、高频、快速响应需求的应用场合，BAS21/G均是一个性能优良且成本效益高的解决方案。