2SK508-T1B-A 时间：2025/7/10 19:02:20 阅读：15

2SK508是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和音频放大器等领域。其增强型结构使得该器件在特定的栅极电压下可以导通并控制大电流负载。该型号后缀为T1B-A，表明其经过优化设计，可能具有更高的可靠性和更严格的参数筛选。

参数

最大漏源电压：50V
　　最大漏极电流：30A
　　输入电容：140pF
　　最大功耗：150W
　　导通电阻：7mΩ
　　栅极阈值电压：3V
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

2SK508-T1B-A是一款性能优异的功率MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低导通损耗和开关损耗。
　　该器件采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适用于高功率应用场合。
　　由于其较低的栅极电荷和输入电容，驱动电路的设计更加简单高效。
　　此外，该型号还具有较高的雪崩击穿能量，增强了器件在异常情况下的耐用性。

应用

2SK508-T1B-A主要应用于需要高效率和高可靠性的场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 各类电机驱动电路，如直流无刷电机、步进电机等。
　　3. 音频功率放大器中的输出级晶体管。
　　4. 逆变器、不间断电源（UPS）以及电池管理系统（BMS）。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。