BAS21/8R是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的通用小信号二极管,广泛应用于各种电子电路中,主要用于信号整流、电压钳位和开关应用。该器件采用SOT23-3小型封装,适合在需要节省空间的PCB设计中使用。BAS21/8R二极管具有快速开关速度和良好的热稳定性,能够在多种工作条件下保持可靠性能。
类型:小信号二极管
最大重复反向电压(Vrrm):100V
最大平均整流电流(Io):200mA
峰值浪涌电流(Ifsm):2A
正向压降(Vf):1V(最大值,Io=200mA)
反向漏电流(Ir):100nA(最大值,Vr=100V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:SOT23-3
BAS21/8R具备一系列优异的电气特性,确保其在多种电子应用中表现出色。首先,其最大重复反向电压为100V,使其适用于中等电压整流和保护电路。其次,该器件可承受最大平均整流电流为200mA,足以应对大多数小信号电路的需求。此外,其峰值浪涌电流可达2A,有助于在瞬态条件下提供额外的可靠性。正向压降最大为1V,在200mA工作电流下表现良好,有助于降低功耗。反向漏电流在100V时最大仅为100nA,表明其在高阻断电压下仍能保持良好的绝缘性能。
在热性能方面,BAS21/8R可在-55°C至+150°C的工作温度范围内运行,适合在广泛的工业和消费电子环境中使用。其SOT23-3封装不仅节省空间,还具有良好的热传导性能,有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
BAS21/8R适用于多种电子电路设计,广泛用于信号整流、电压钳位、极性保护和逻辑电平转换等应用。在电源管理系统中,它可以作为输入保护二极管,防止反向电压损坏敏感电路。在数字电路中,BAS21/8R可用于将信号钳位在特定电压范围内,以确保逻辑电平的稳定性和兼容性。此外,它也常用于传感器接口电路、继电器驱动电路以及开关电源中的续流二极管。由于其SOT23-3封装体积小,因此非常适合用于便携式设备、通信模块和嵌入式系统中。
1N4148, 1N4448, BAS16