BAS121 T/R 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的高速开关二极管,属于硅基小信号二极管。该器件主要用于高频应用中的信号切换和保护电路,具备快速开关能力和低电容特性,适合用于通信设备、消费电子和工业控制系统。BAS121 T/R 采用SOT-23(TO-236AB)小型封装,便于在高密度PCB布局中使用。
类型:硅高速开关二极管
最大重复峰值反向电压:100V
最大平均整流电流:100mA
峰值浪涌电流:2A
最大反向电流(在额定电压下):100nA
正向电压降(在100mA时):1.25V(最大)
反向恢复时间:4ns(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
BAS121 T/R 具备出色的高速开关性能,其反向恢复时间(trr)最大仅为4ns,使其非常适合高频信号切换和整流应用。
该器件具有低正向电压降,在100mA电流下最大为1.25V,有助于降低功耗并提高系统效率。
其低反向漏电流(最大100nA)确保在高温条件下仍能保持良好的稳定性。
采用SOT-23封装,体积小巧,便于表面贴装,适用于自动化装配流程。
BAS121 T/R 还具备较强的浪涌电流承受能力(最大2A),可在瞬态条件下提供更高的可靠性。
此外,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于严苛环境下的电子设备。
BAS121 T/R 主要用于通信设备中的信号切换电路,如射频开关、解调器和混频器等。
在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,BAS121 T/R 可用于电源管理、接口保护和信号路由。
它也广泛应用于工业控制系统中的传感器接口、高速数据采集系统和保护电路。
此外,该器件还可用于DC-DC转换器、电压检测电路和嵌位电路中,以提高系统的稳定性和效率。
BAS16, 1N4148W, 1N4448