时间：2025/8/8 13:19:12
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5441980是一种高压MOSFET功率晶体管，常用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电源管理应用中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高效能和稳定性的电力电子系统。它通常采用TO-220或TO-263等封装形式，以满足不同设计需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.85Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
5441980 MOSFET具备高电压承受能力和优异的导通性能，使其在高效率电源转换应用中表现突出。其低导通电阻减少了功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。内置的快速恢复二极管也提升了其在高频开关应用中的性能。5441980还具备较高的耐用性和可靠性，适合长期运行的工业和消费类电子产品。
5441980 MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、照明系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高电压能力和高效率特性使其成为电源管理设计中的理想选择，尤其适用于需要高可靠性和高效能的场合。
IRF840, FQA9N60C, STP9NK60Z
