类型：开关二极管
　　结构：双通道（Dual Common Cathode）
　　最大反向电压（VR）：100 V
　　平均整流电流（Io）：100 mA
　　峰值正向电流（IFSM）：500 mA
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　安装类型：表面贴装
　　结电容（Cj）：2 pF（典型值）
　　恢复时间（trr）：4 ns（最大）

BAS116WS T/R 以其优异的高频性能和快速响应能力而著称。其低结电容（Cj）确保了在高频信号路径中的最小干扰，而快速恢复时间（trr）则提升了开关效率，减少了信号失真。该器件采用先进的硅外延平面工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性。此外，双通道结构允许在同一个封装中实现两个独立的开关功能，节省了PCB空间并简化了电路设计。
　　该二极管可耐受高达100V的反向电压，适用于多种电压等级的电路保护和整流任务。其100mA的平均整流电流能力足以满足大多数低功率应用需求。SOT-323小型封装形式使其适用于空间受限的便携式电子设备。BAS116WS T/R 符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

BAS116WS T/R 常用于通信设备中的信号路径切换、射频前端模块、频率混频器、检波器等高频电路中。它也适用于电源管理、电压采样、极性保护电路以及数字逻辑电路中的电平转换功能。由于其紧凑的封装和出色的性能，广泛应用于移动电话、无线模块、传感器接口、工业控制设备以及汽车电子系统中。

BAS716, BAV99W, BAS16, 1N4148W